HgCdTe表面界面光电特性研究的任务书.docx
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GaN紫外及HgCdTe红外探测器的表面与界面研究的任务书任务书任务书题目:GaN紫外及HgCdTe红外探测器的表面与界面研究任务背景:目前,随着红外技术和紫外技术的快速发展,高性能的红外及紫外探测器已成为国家重点发展的领域之一,具有重要的应用价值。在该领域中,GaN紫外及HgCdTe红外探测器表面与界面结构研究是一个非常重要的方向,尤其是表面与界面缺陷结构的研究对于红外及紫外探测器的性能有着非常重要的影响。因此,本任务书旨在研究GaN紫外及HgCdTe红外探测器的表面与界面结构和缺陷情况,以期为如何提高
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HgCdTe外延材料与器件光谱特性研究的任务书任务书:HgCdTe外延材料与器件光谱特性研究背景:HgCdTe是目前最优异的中远红外光电探测材料,具有良好的光学和电学性能,可应用于红外探测器、红外成像仪、激光测距仪、光电系统和通信等领域。其典型外延材料包括MOCVD、MBE等方法制备,而HgCdTe器件又包括探测器和太阳电池等。目前研究集中于高性能HgCdTe探测器器件研究及其材料结构和过程研发。任务:本项目旨在研究MOCVD、MBE等外延材料和HgCdTe器件在不同光谱条件下的发射和吸收特性,探索其机理
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硫化镉硅多界面纳米异质结光电特性研究的任务书任务书题目:硫化镉硅多界面纳米异质结光电特性研究背景纳米异质结是一种在纳米尺度下由两种不同材料组成的结构,具有独特的物理和化学性质,被广泛应用于光电器件中,如太阳能电池、光电探测器和LED等。其中,硫化镉硅多界面纳米异质结光电器件具有高效的光电转换效率和稳定性,已被广泛研究和应用。因此,对硫化镉硅多界面纳米异质结光电特性的研究具有重要意义。任务本研究旨在探究硫化镉硅多界面纳米异质结的光电特性,具体任务如下:1.制备硫化镉硅多界面纳米异质结样品本研究采用溶液法制备