GaN基和ZnTe半导体材料的制备和光学特性研究的任务书.docx

GaN基和ZnTe半导体材料的制备和光学特性研究的任务书
任务书
一、研究背景
GaN基和ZnTe半导体材料是当今半导体领域研究的热点，具备广泛的应用前景。其中，GaN基材料由于其高电子迁移率、高硬度、高热稳定性和优异的光学性能，被广泛应用于LED、激光器、太阳能电池等领域。ZnTe半导体材料也具有很高的光学性能，可以用于太阳能电池、光伏探测器等领域。因此，研究这些材料的制备方法及其光学特性，对于探索新型材料的物理学和化学性质、性能优化以及应用推广都具有十分重要的意义。
二、研究目的
本研究的目的是通过制备GaN基和ZnTe半导体材料，并利用光学性质手段研究器件性能，从而探究这些材料的物理、化学和光学性质，并为应用开发提供基础理论和技术支持。
三、研究内容和方法
研究内容：
1.制备GaN基和ZnTe半导体材料；
2.测量材料的光学特性，包括吸收光谱、荧光光谱、透射光谱等；
3.研究材料在不同光谱波长下的荧光和透射光谱的变化规律；
4.对研究结果进行分析和讨论。
研究方法：
1.利用物理气相沉积法（PVD）制备GaN基材料，利用化学气相沉积法（CVD）制备ZnTe半导体材料；
2.利用紫外-可见吸收光谱仪、荧光光谱仪、透射光谱仪等手段测量材料的光学特性；
3.对实验结果进行分析和讨论，探究材料的物理、化学和光学性质。
四、研究计划
本研究计划为期12个月，具体实验安排如下：
1.前2个月：搜集文献，建立实验室，熟悉操作流程和安全操作规程；
2.2-6个月：制备GaN基材料，测量吸收光谱，荧光光谱，透射光谱等；
3.6-10个月：制备ZnTe半导体材料，测量吸收光谱，荧光光谱，透射光谱等；
4.10-12个月：对研究结果进行分析和讨论，撰写论文。
五、工作安排及分工
1.理论研究和实验设计：由指导教师及主持人完成；
2.实验操作：由主持人主要负责，在指导教师的指导下完成；
3.数据处理和分析：由主持人完成，指导教师进行检查和指导；
4.论文撰写：由主持人主要完成，指导教师提供指导和修改意见。
六、预期结果
通过本研究，预期可以得出以下结论：
1.成功制备出GaN基和ZnTe半导体材料；
2.通过测量光谱特性，探究材料的物理、化学和光学性质；
3.对材料的性能进行分析，并为材料的应用提供理论和技术支持；
4.发表相关学术论文，为相关领域的研究提供参考。
七、研究经费预算
本研究的经费预算如下：
1.实验材料费：2000元；
2.实验设备费：10000元；
3.差旅费和出版费：5000元；
4.劳务费及其他费用：3000元。
共计：20000元。
八、参考文献
[1]冯大铖，张立祥.GaN材料的制备及应用[J].现代制造工程，2013，12(20):170-172.
[2]孙思汝.ZnTe材料的制备及特性研究[D].哈尔滨工业大学，2015.