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发展Si-Sb-Te新型相变存储材料及相变机制研究的任务书
任务书
题目：发展Si-Sb-Te新型相变存储材料及相变机制研究
背景：随着信息时代的到来，数据量的增加以及对数据处理速度和存储密度的要求越来越高，传统存储技术已经不能满足需求。相变存储技术因其高集成度、低功耗等优点受到广泛关注。Si-Sb-Te新型相变存储材料由于其良好的相变性能和电子性质，已成为相变存储材料的研究热点之一。当前，Si-Sb-Te新型相变存储材料及其相变机制的研究仍存在不少困难和挑战，需要进一步加强研究。
任务描述：本项目旨在发展Si-Sb-Te新型相变存储材料及相变机制研究，具体任务如下：
1.制备Si-Sb-Te新型相变存储材料
通过化学气相沉积、物理气相沉积、蒸发法等制备方法，制备出具有高质量和良好性能的Si-Sb-Te新型相变存储材料，优化其结构和成分，提高其存取速度和可靠性。
2.研究Si-Sb-Te新型相变存储材料的相变机制
通过原位电学性能测试和红外光谱分析等方法，深入研究Si-Sb-Te新型相变存储材料的相变机制，探索其稳定状态和相变行为，并建立相变模型。
3.优化Si-Sb-Te新型相变存储材料的性能
在制备Si-Sb-Te新型相变存储材料的基础上，进一步研究其性质、结构和性能，探索优化其性能的途径，如控制晶体生长方向、局部改变材料的物理性质等。
4.开发相应性能测试技术
开发Si-Sb-Te新型相变存储材料相应的性能测试技术，例如，利用透射电子显微镜、扫描探针显微镜、脉冲激光辐照等技术对材料的结构和性质进行精细调控和测试。
预期成果：
1.开发出一套高精度的制备、测试和分析Si-Sb-Te新型相变存储材料的方法体系，为相应材料的实际应用提供技术支持。
2.确定Si-Sb-Te新型相变存储材料的相变机制，并开发相应的相变模型和理论框架。
3.开发一种具有高存储密度、低功耗、高读写速度和长寿命等优点的Si-Sb-Te新型相变存储材料，用于实际应用和产业化。
4.发表学术论文不少于5篇，申请专利不少于2项。
预算及人力资源：
本项目预算400万元，其中实验设备200万元，材料采购和化学药品50万元，岗位人员120万元，差旅及论文发表费等其他费用30万元。项目人员包括3名博士后、5名博士研究生和5名硕士研究生等。
时间安排：
本项目计划为期3年，其中第一年主要任务是制备Si-Sb-Te新型相变存储材料，第二年主要任务是研究相变机制和优化材料性能，第三年主要任务是开发性能测试技术和产业化应用。项目进展情况将定期进行汇报和评估，每半年一次。
风险及防范措施：
在项目进行中，可能面临制备工艺复杂、测试方法不足、交叉干扰等问题。为此，我们将增强跨学科、跨领域的合作，加强团队建设，注重实验室安全，遵守相应的实验室管理制度，完善实验安全管理体系等。
参考文献：
[1]WangL,YangYJ,SongZT.OriginoffastcrystallizationinGeTe-basedphase-changememorydevices[J].AppliedPhysicsLetters,2012,100(15):151902.
[2]RaoF,ZhuLL,WangJH.Experimentalobservationofatwo-dimensionalsoft-phonon-drivenstructuraltransformationinphase-changematerials[J].PhysicalReviewLetters,2013,110(9):095502.
[3]SunZX,SongSH,WangL,etal.CrossoverofnucleationandgrowthmodesinGeTe-basedphase-changememorymaterials[J].AppliedPhysicsLetters,2013,103(19):191902.