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p型ZnMgO薄膜器件相关性能研究和Ga掺杂ZnO薄膜表面处理的任务书
任务书
一、任务背景
氧化物半导体是一类非常重要的材料，具有广泛的应用。其中，ZnO是一种具有优良的光电性能的氧化物半导体材料。然而，ZnO薄膜器件的应用受到n型半导体中易发生缺陷的困扰。为解决这一问题，人们研究并发展了p型ZnMgO材料，该材料对于ZnO薄膜器件的制作具有重要的意义。
同时，为了使得ZnMgO材料的性能得到进一步提升，人们也进行了Ga掺杂ZnO薄膜表面处理，以便增强其电学、光学和表面化学性能。因此，对于p型ZnMgO薄膜器件及Ga掺杂ZnO薄膜表面处理的相关性能研究具有非常重要的现实意义。
二、任务目标
本次任务旨在开展p型ZnMgO薄膜器件相关性能研究和Ga掺杂ZnO薄膜表面处理研究，包括以下目标：
1.研究p型ZnMgO薄膜器件的电学、光学性质，并探索其制备方法；
2.研究Ga掺杂ZnO薄膜表面处理的影响因素，如掺杂浓度和处理方式等；
3.通过对p型ZnMgO薄膜器件和Ga掺杂ZnO薄膜表面处理的相关性能研究，分析其应用前景和发展趋势，为后续研究提供依据。
三、任务内容及要求
1.研究p型ZnMgO薄膜器件的制备方法及其电学、光学性质：侧重研究p型ZnMgO材料的制备方法和关键制备参数对材料性能的影响，探究薄膜器件的电学和光学性能，并通过实验方法得出相应的数据和结论；
2.研究Ga掺杂ZnO薄膜表面处理的影响因素：侧重研究Ga掺杂ZnO薄膜的表面处理方法、掺杂浓度和处理方式等因素对材料性能的影响，探究表面处理后的薄膜的电学和光学性能，并通过实验方法得出相应的数据和结论；
3.分析p型ZnMgO薄膜器件及Ga掺杂ZnO薄膜表面处理的应用前景和发展趋势：总结本次研究获得的结果，分析p型ZnMgO薄膜器件及Ga掺杂ZnO薄膜表面处理的应用前景和发展趋势，提出未来的研究方向和建议。
四、任务时间
本次任务的周期为3个月，具体时间为2022年5月1日至2022年7月31日。
五、任务组织
本次任务由物理研究所主持，与材料研究所、光电技术研究所等相关单位合作，组织实验研究和数据分析。任务组织机构包括主持人、研究人员、实验人员和技术人员等。主持人负责任务组织、实验指导和结果分析，研究人员和实验人员负责实验研究和数据分析，技术人员负责实验设备的维护和管理。
六、预期成果
本次任务的预期成果主要包括：
1.发表2-3篇与研究相关的学术论文；
2.获得p型ZnMgO薄膜器件及Ga掺杂ZnO薄膜表面处理相关性能数据；
3.对p型ZnMgO薄膜器件及Ga掺杂ZnO薄膜表面处理的应用前景和发展趋势进行深入分析和探讨。
七、任务费用
本次任务的经费共计100万元人民币，用于实验设备、耗材、实验人员及研究人员的工资等相关支出。
八、任务评估
本次任务的成果将由专家组进行评估，并给出相应的评价意见。同时，任务主持人将对任务的实施和成果进行总结，提出未来的研究方向和建议。
九、其他
本任务书由任务主持人起草，经过审查审定后生效，并作为任务实施过程中的指导和参考资料。任务实施过程中，需严格遵守相关的安全操作规范和实验室管理制度，确保人员和设备的安全。如有变动，需及时向相关单位汇报并获得批准。