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InP基HBT器件及超高速电路设计研究的任务书
一、研究背景和意义
半导体器件与集成电路的发展已成为推动现代信息技术发展的关键。物联网、云计算、5G和高性能计算等应用对高效、高速、小型化的集成电路和系统的需求极大。而高速电路设备的发展已经成为半导体器件与集成电路技术的热点之一，其中，InP基HBT器件及其超高速电路的研究和应用领域广泛，具有很高的研究价值、应用前景和经济效益。
InP基HBT器件在高速和低噪声性能方面优于Si-basedHBT器件，具有极高的频率和功率密度，并且在低功耗、耐辐照性和高温环境等方面较为出色。在高功率激光器、放大器、Mixer等领域已得到广泛的应用。另外，非线性电路技术已经成为多种芯片系统的关键部分，特别是高速数字系统、模拟射频(RF)电路、数字信号处理(DSP)等领域。InP基HBT器件及其超高速电路的研究和应用，将有助于推进半导体器件与集成电路技术发展，提高相关领域的技术水平，满足现代信息技术的需求。
二、研究内容和研究方案
1、InP基HBT器件及其超高速电路设计和制备
(1)着重设计InP基HBT器件及其特性、制备及其设计要求和方法。
(2)探究InP基HBT器件及其超高速电路的材料和工艺问题，比如水平技术、Mask、布图问题等，并相应提出革新性研究方案。
2、InP基HBT器件和超高速电路性能测试、分析和优化
(1)确定InP基HBT器件和超高速电路的性能参数，测试装置包括矢量网络分析仪和直流测试设备等。
(2)利用TESA等现代分析工具对InP基HBT器件和超高速电路的电学和物理性质进行分析和评估。
(3)优化InP基HBT器件和超高速电路的设计、工艺和制备，提高性能并减少系统成本。
3、应用InP基HBT器件和超高速电路设计和制备高性能电路元件和系统
(1)利用InP基HBT器件和超高速电路设计和制备高性能放大器、混频器、检波器、VCO、和数字/模拟转换器等器件。
(2)针对通信、无线、计算、雷达、测量和控制等应用领域提出高性能系统的设计方案，并制作出机型。
4、论文撰写与成果交流报告
撰写相关论文，将所研究的高速电路设计方法和结果进行分析、总结和总结，并交流相关成果。
三、研究预期成果
本研究在InP基HBT器件及其超高速电路的设计、制备、测试及其应用方面进行了深入研究，提出上述方案的总体目标是，通过对InP基HBT器件及其超高速电路的设计和制备技术的研究，实现高频、低噪声、高功率、低功率消耗和适应特殊环境等性能的提高。
本研究将研制出高性能的InP基HBT器件和超高速电路元件或系统，并实现其在通信、无线、雷达、计算、测量和控制等领域应用的可能性。其中，InP基HBT器件在高性能激光器和半导体宽带放大器和混合激光器等设备中具有较好的广泛应用前景。
四、研究计划和研究周期
1、前期准备阶段（1-3个月）
a.阅读相关文献，把握InP基HBT器件的技术背景和研究现状。
b.针对本研究的需要，为设计和制备InP基HBT器件及其超高速电路制定工艺流程。
c.建立好相应的实验室和测试化验设备。
2、研究阶段（9-24个月）
a.设计并制备样品，优化工艺流程。
b.对InP基HBT器件及其超高速电路的物理性能、电学性能、热力学性能、噪声性能等进行测试，评估其实际性能。
c.优化设计，提高性能，减少系统成本，提高可靠性。
3、结果表现阶段（24-36个月）
a.根据性能测试和优化，完成高速电路元件（如放大器、混频器、检波器等）或系统的设计和制备，并进行系统测试。
b.撰写高质量的学术论文，发表在国内外相关学术刊物上。
预计研究周期总计为36个月。
五、研究经费预算
项目经费总预算为200万元，其中70%用于研究经费，25%用于人员编制（包括博士后、硕士生、助理等），5%用于日常设备和实验室运维。具体的经费项目清单及使用规划如下。
1、研发设备和实验器材70万元
2、研究人员薪水及招聘经费125万元
3、日常设备和实验室运维5万元
总计200万元。
六、研究团队和贡献
本研究在指导老师和团队配合下，主要由3名博士生和2名硕士生、2名研究助理组成，共7人参与。研究团队的成员将在本项目中，学习最新的半导体器件与集成电路技术，共同探索新的高速电路设计方法和生产制造技术，实现具长远价值的研究目标。
该研究成果能够大大促进半导体器件与集成电路技术的发展，提升我国高技术的竞争力，推动我国进入半导体芯片产业发展的快车道。