基于0.15um pHEMT的超宽带MMIC中等功率放大器研究的任务书.docx
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基于GaAsEDPHEMT工艺的6~10GHz多功能MMIC引言随着无线通信技术的飞速发展,高频率电子器件的需求日益增加。射频集成电路(RFICs)因其安装方便、维护简单、成本低廉等特性广泛应用于各种高频通信设备中。其中,MMIC作为一种高频集成电路,在通信领域中得到了广泛的应用。GaAsEDPHEMT工艺是当前应用广泛的一种制造高性能MMIC的技术之一。本文将介绍一款基于GaAsEDPHEMT工艺的6~10GHz多功能MMIC设计。一、GaAsEDPHEMT工艺概述GaAsEDPHEMT是高性能射频集成