氮化镓基光子晶格及其发光器件研究的综述报告.docx
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氮化镓基光子晶格及其发光器件研究的综述报告.docx
氮化镓基光子晶格及其发光器件研究的综述报告概述:光子晶体,即具有周期性介电常数的材料,可以用来产生光子晶格。光子晶体的基本原理是通过对介质中的折射率进行控制,从而限制光的传播方向并产生布拉格反射。作为一种新型的材料,光子晶体在光学器件和光学通信中发挥越来越重要的作用。其中,氮化镓是一种非常重要的材料,因为它具有优异的光电性能和化学稳定性,可以用于制作高效的LED和激光器。本文将介绍氮化镓基光子晶格的制备方法、结构特性、光学性质以及其在发光器件中的应用。制备方法:制备氮化镓基光子晶格的方法有很多种,例如离子
氮化镓基光子晶格及其发光器件研究的任务书.docx
氮化镓基光子晶格及其发光器件研究的任务书任务书:氮化镓基光子晶格及其发光器件研究1.研究背景随着半导体材料和器件技术的发展,氮化镓材料在光电子应用方面具有广泛的应用前景。氮化镓材料制备工艺的成熟和材料性能的优化已经被广泛研究和探索。在这个基础上,如何利用氮化镓材料的优越性能,实现高功率、高效率、高亮度的光电发光器件,是一个重要的研究方向。近年来,光子晶体技术在光电子学领域中得到了广泛的应用,光子晶体可以在光波长范围内的光子带隙中控制光的传播和反射,从而实现光学信号的调制和滤波。氮化镓材料适合用于光子晶体的
带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件及其制备方法.pdf
本发明公开了一种带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件的制备方法,由于在势垒层中插入氮化镓层,使凹槽栅结构的制备可以实现腐蚀自停止于氮化镓插入层,氮化镓层在势垒层中不同的插入位置可以方便地实现不同深度的凹槽腐蚀效果,从而完成在该结构基础上肖特基栅和MOS结构栅阈值电压的调控,而且氮化镓插入层下留有适当厚度的势垒层可以在凹槽刻蚀期间有效保护沟道防止器件性能退化,从而使本方案具有很高的可操作性和可重复性,更利于工业化生产。
一种氮化镓系发光器件.pdf
本发明公开了一种氮化镓系发光器件,包括衬底;成核层;n型III族氮化物层;多量子阱有源区;最后一个量子垒层;类电子阻挡层;p型III族氮化物层;n型金属电极和p型金属电极。其中最后一个量子垒层和类电子阻挡层之间的界面存在负的净极化电荷。本发明提出的上述方案相比现有的GaN?LQB/AlGaN?EBL结构(界面存在正的净极化电荷),或极化匹配GaN?LQB/AIInGaN?EBL结构(界面净极化电荷为零),能够增强电子阻挡层阻挡电子泄漏的效果,从而提高LED发光效率,并减少大注入电流下的发光效率衰减。
硅衬底氮化镓基蓝光LED发光特性研究.docx
硅衬底氮化镓基蓝光LED发光特性研究摘要:本研究主要探究了硅衬底氮化镓基蓝光LED的发光特性。首先通过制备方法,在硅衬底上生长了氮化镓材料,通过不同的电极结构和工艺优化,成功制备出具有较高发光效率的蓝光LED器件。随后对其进行了电学特性、光学特性和热学特性的测试研究,结果表明所制备的器件具有较高的光效和较低的漏电流,可以在LED照明等领域有较好的应用前景。关键词:硅衬底;氮化镓;蓝光LED;发光特性;光效正文:1.研究背景氮化镓(GaN)材料具有较高的电子迁移速率和较大的能带宽度,因此具有较好的电学优势,