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基于ALD技术纳米半导体掺杂光纤的研究的中期报告
尊敬的评委、各位专家：
大家好！本次报告的主题是基于ALD技术纳米半导体掺杂光纤的研究。
首先，我想介绍一下ALD技术。ALD即原子层沉积技术，是一种常用于纳米材料制备中的薄膜沉积技术。它可以对材料表面进行原子级别的控制，具有很好的均匀性和重复性。
本研究中，我们首先采用ALD技术，在光纤表面沉积二氧化硅薄膜。接着，使用电子束焊接技术在光纤端面局部脱去二氧化硅薄膜，留下一段裸露的光纤。然后再沉积钨的氧化物和金属，形成光纤的掺杂区。最后，在掺杂区使用激光器进行局部加热，使得金属和氧化物反应，形成掺杂的半导体材料。
通过利用这种方法，我们成功地制备了具有掺杂半导体材料的光纤。接下来，我们将对这些样品进行光学测试和电学测试，以了解掺杂材料对光学和电学性质的影响。
目前的进展如下：
1.成功制备了一系列不同掺杂浓度的光纤样品，并对其进行了表征。
2.进行了掺杂区的电学测试，结果表明掺杂区具有显著的导电性，且导电性随着掺杂浓度的增加而增强。
3.进行了红外光谱测试，观察到掺杂区出现了特定的吸收峰，证明成功地将半导体材料掺杂到了光纤中。
接下来的工作将主要集中在对这些样品进行更加详细的光学测试，包括吸收谱、荧光谱、光漏损和折射率等方面的测试。同时，我们还将对掺杂区进行更深入的研究，以探究掺杂半导体材料对光纤传输特性的影响。
感谢各位专家的聆听，欢迎提出宝贵的意见和建议。