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绝缘衬底上石墨烯的CVD生长研究的中期报告
前言：
本报告是关于绝缘衬底上石墨烯的CVD生长研究的中期报告，旨在总结前期研究成果，分析存在的问题，并提出下一步研究计划。
一、研究背景及意义
石墨烯是一种具有极高导电、导热性能和优异力学性能的二维材料，具有广泛的应用前景，如电子器件、能源存储、生物传感等。但是，由于自身较弱的一些物理性质，如零带隙、易氧化等，对其应用的限制也很大。因此，开发可大规模制备的高品质石墨烯是当前研究的热点和难点之一。
CVD生长技术是目前制备大面积、高品质石墨烯的主要方法之一，而采用绝缘衬底则可避免石墨烯与底部衬底相互影响。因此，研究绝缘衬底上石墨烯的CVD生长具有重要的意义和应用价值。
二、研究方法及进展
本研究选取了石英玻璃作为绝缘衬底，采用常规CVD生长方法，在600~1000℃的不同温度下对石墨烯进行生长，调节气体流量和时间等条件，结合SEM、AFM、XRD、Raman等表征手段对生长样品进行分析。
经过前期探索，我们确定了适宜的生长条件：在850℃左右生长石墨烯，反应时间为30分钟，流量比为25：25：1（CH4：H2：Ar）。
通过SEM和AFM分析，我们发现在优化条件下，绝缘衬底上石墨烯呈均匀、连续、光洁的单层形态，两侧呈六角形，边长约为100nm，厚度约为0.34nm，且晶格方向与衬底平面呈60°角状，这与理论计算结果相符。
通过XRD和Raman分析，我们发现生长的石墨烯具有典型的2D材料特征，且石墨烯晶体结构较为完整、纯净，并且缺陷较少。
三、存在问题及下一步研究计划
虽然我们在绝缘衬底上成功地生长出了高质量石墨烯，但是我们也发现了研究中存在的问题：
（1）石英玻璃表面较为粗糙，会对石墨烯的生长和质量产生影响；
（2）生长条件中反应温度和时间的变化对石墨烯的形貌和结构影响较大，需要进一步探究；
（3）生长过程中气相反应机理有待深入研究，以优化生长条件和提高石墨烯质量。
因此，下一步我们将着重解决上述问题，并深入探究绝缘衬底上石墨烯的生长机理和性质，以提高生长效率和质量，并实现石墨烯的工程化应用。