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基于PID控制的MOCVD过程PLC控制系统的中期报告
一、项目背景
MOCVD（金属有机化学气相沉积）是一种将金属有机化合物气体与载气反应，生成固态薄膜的表面增长技术。它在半导体工业中被广泛应用于LED（发光二极管）和激光器的制造上。在MOCVD过程中，精准的反应温度和气体流量控制对生长的薄膜质量和性能有着至关重要的影响。因此，需要一种可靠的控制系统来精确控制这些变量。
本项目旨在开发一种基于PID控制的MOCVD过程PLC控制系统，能够精准控制反应温度和气体流量，提升生长的薄膜质量和性能。
二、技术路线
1.硬件方案：使用PLC（可编程逻辑控制器）作为控制核心，通过模拟信号采集模块和控制模块等组成控制系统。
2.软件方案：使用PID控制算法和LabVIEW编程语言搭建软件平台，完成反应温度和气体流量的控制及监测。
三、研究进展
目前，我们已经完成了以下几项工作：
1.方案设计：确定硬件方案，为软件方案提供支持。
2.接口设计：设计模拟信号输入和输出接口，完成对反应温度和气体流量的采集和控制。
3.软件搭建：使用LabVIEW编写PID控制算法和相应的图形界面，实现反应温度和气体流量的控制和监测。
4.测试验证：进行验证实验，验证系统的稳定性和精度，调整参数，优化系统控制效果。
四、后续工作
1.完善系统性能：通过对系统进行优化，提升系统的控制精度和稳定性，使其达到更高的性能指标。
2.平台扩展：考虑将控制系统扩展至其他半导体工艺过程中，拓展平台应用范围。
三、参考文献
1.赵海东，小泉和明，赵巍等，基于PLC控制的MOCVD系统，光电子·激光，2014,25(8):1611-1615。
2.王安，崔卫东，韦强等，基于LabVIEW的MOCVD控制系统设计，计算机工程与应用，2016,52(9):262-264+282。
3.刘洁，徐文珍，于菲菲等，基于PID控制的MOCVD反应器内Wafer温度控制，电子技术应用，2018,44(1):40-42+75。