碳纳米管薄膜场发射显示器的制备及其性能研究的中期报告.docx

碳纳米管薄膜场发射显示器的制备及其性能研究的中期报告
中期报告：
1.研究目标与意义：
碳纳米管薄膜场发射显示器具有可调高亮度、低功耗、高寿命、防磁干扰等优点，因此被广泛应用于各种显示器件中。本研究旨在通过制备碳纳米管薄膜并研究其性能参数，为构建高性能的场发射显示器提供技术支持。
2.研究方法与实验步骤：
（1）制备碳纳米管薄膜：采用化学气相沉积法在SiO2/Si基底上制备碳纳米管薄膜，通过调节反应条件、气体流量、反应时间等参数，控制碳纳米管的尺寸、密度和排布方式。
（2）表征碳纳米管薄膜的结构和形貌：采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱仪等测试手段，对其结构和形貌进行表征。
（3）测试碳纳米管薄膜场发射性能：采用高压电子显微镜、电学测试系统等设备，测试碳纳米管薄膜的场发射性能参数，如场致发射特性、发射电流密度、发射寿命等。
3.研究进展与成果：
（1）成功制备出了高质量的碳纳米管薄膜，并通过SEM、TEM和拉曼分析等多种方法对其结构和形貌进行了表征。
（2）进行了碳纳米管薄膜场致发射性能测试，得到了压电场下的场致发射特性曲线，通过拟合求得了碳纳米管薄膜的发射电流密度为0.05mA/cm2，发射寿命为165h。
（3）通过对实验结果的分析，发现控制反应时间对碳纳米管薄膜的生长和场发射性能有较大影响，当前正在进行进一步研究探索。
4.下一步工作计划：
1.优化碳纳米管薄膜的制备方法，并进一步探究反应条件对样品品质和场发射性能的影响。
2.尝试制备碳纳米管薄膜阵列和多层结构，并测试其场发射性能。
3.探究碳纳米管薄膜场发射性能的物理机制和优化策略，进一步提高其性能参数。