单壁碳纳米管阵列的结构控制制备方法研究的开题报告.docx

单壁碳纳米管阵列的结构控制制备方法研究的开题报告
一、题目：单壁碳纳米管阵列的结构控制制备方法研究
二、研究背景：
单壁碳纳米管具有优异的电学、热学、力学及光学性质，因此在微电子学、纳米传感器等领域具有广泛的应用前景。然而，以往的制备方法往往难以控制单壁碳纳米管的长度、直径、方向、密度等关键参数，从而限制了其进一步的应用。针对这一问题，近年来研究人员提出了一系列方法，如化学气相沉积、电化学沉积、激光加热等，通过调控反应条件及材料性质，实现了单壁碳纳米管的结构控制。但是，这些方法仍存在一些问题，例如成本高、缺乏对单壁碳纳米管生长机理的深入理解等。
因此，进一步研究单壁碳纳米管阵列的结构控制制备方法，探索更加高效、低成本、可控的制备方法，具有重要的科学意义和实际应用价值。
三、研究内容：
1.整理归纳现有单壁碳纳米管制备方法，分析各自的优劣势，并且探索其不足之处。
2.针对现有方法的不足，设计并尝试新的单壁碳纳米管制备方法，尤其是通过调控反应条件实现单壁碳纳米管的结构控制。
3.对新方法的得到的单壁碳纳米管进行表征，包括SEM、TEM、Raman等表征方法，分析单壁碳纳米管的结构、形貌、光学等性质。
4.通过比较分析不同方法制备的单壁碳纳米管的优劣势和适用范围，探索更加高效、低成本、可控的单壁碳纳米管阵列制备方法。
四、研究方法：
1.查阅相关文献，了解单壁碳纳米管的制备方法和生长机理，熟悉单壁碳纳米管表征技术。
2.设计和优化不同的单壁碳纳米管制备方法，包括化学气相沉积、电化学沉积、激光加热等。
3.使用SEM、TEM、Raman等表征技术对得到的单壁碳纳米管进行表征，并分析其结构、形貌、光学等性质。
4.根据实验结果，总结比较不同制备方法的优劣势和适用范围。
五、研究意义：
1.为单壁碳纳米管阵列的制备提供更加高效、低成本、可控的方法，推动单壁碳纳米管技术的发展。
2.深入理解单壁碳纳米管的生长机理，为单壁碳纳米管的应用研究提供理论支持。
3.提高我国在单壁碳纳米管研究领域的国际竞争力，为相关领域的科学研究和应用开发提供支撑。