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纳米结构体系中电子输运及接点问题的研究的综述报告
随着纳米技术的发展，纳米结构的应用范围越来越广泛，其中包括电子输运方面的应用。在纳米结构中，电子输运的研究变得尤为重要，因为纳米尺度具有与传统尺度不同的电子输运特性。本文将综述纳米结构体系中电子输运及接点问题的研究进展，主要分为下面三个部分：
一、电子输运的基础理论
在纳米结构体系中，电子输运涉及到了量子力学的理论。量子力学是描述微观粒子行为的科学，包括粒子的波粒二象性和量子隧穿效应等。在物理学中，一般是通过Hamiltonian来描述电子的运动状态。对于纳米结构体系，单电子近似方法可以作为研究基础，例如基于DFT的Kohn-Sham方程。此外，还需要考虑虚拟缺陷、表面态等因素，对于这些问题可以采取耦合聚类方法或扩展布里渊区方法等进行研究。
二、电子传输的问题
在纳米结构体系中，电子传输的问题涉及到了导体、半导体和绝缘体等不同类型材料的电子传输过程。在这些材料内部，电子输运主要受到散射、输运速率等因素的影响。同时，在接触区域也需要考虑表面缺陷、接触长度等因素的影响。
在纳米结构中，金属纳米颗粒的电子输运特性很有趣。由于表面积大，电子散射在表面上的概率很高，因此，在纳米金颗粒中出现了电子相互作用的新现象，例如表面等离子体共振、量子尺寸效应等。此外，在核壳结构纳米粒子中，由于核壳界面的存在，电子传输有了新的特性，例如杂化化学键、量子限制隧道等。
三、接点问题的研究
在纳米结构体系中，接点问题尤为重要。接触区域的电子传输性能往往是整个纳米结构的决定性因素。在金属接点中，电子散射在表面上的机制很类似于金属纳米粒子的情况，因此，金属接点中出现了类似于量子井层及其他现象。
在半导体和绝缘体接触中，由于这些材料的能隙较大，所以也出现了新的电子传输现象。例如，由于界面缺陷，半导体接触中出现了晶格畸变和工作函数修正等现象。Cu-Mo二元材料接点中的电子转移应该借助于界面原子间的相互作用和材料能量差异等因素进行控制。
综上所述，纳米结构体系中电子输运及接点问题的研究，涉及到了量子力学的基础理论和各种特殊的现象，需要采用多种理论和实验方法进行研究。这些研究不仅有助于进一步理解纳米材料的性质，同时也为纳米技术的应用提供了更加深入和准确的理论基础。