深亚微米闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术研究的中期报告.docx

深亚微米闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术研究的中期报告
1.研究背景
深亚微米闪存分立器件是现代制造业中广泛应用的非易失性存储器件，其在高能粒子辐照下易受到总剂量辐射效应的影响，从而导致器件性能退化。因此，对其进行辐射效应研究和加固技术研究至关重要。
2.研究内容
本研究通过对深亚微米闪存分立器件进行总剂量辐照实验，探索其在辐照过程中的性能变化规律；同时，开展了多种加固技术的研究和对比，以提高其抗辐射能力。
3.实验设计
本研究针对深亚微米闪存分立器件的总剂量辐照效应进行实验研究，包括空间电荷效应、热解效应等。实验采用60Coγ射线源进行辐照，辐照剂量范围为0~100krad（Si）。
4.实验结果分析
实验结果表明，在总剂量辐照下，深亚微米闪存分立器件的耐受性能受到了不同程度的影响，器件特性发生了明显变化，包括漏电流、存储速度、电容、噪声等方面。
同时，本研究还探索了多种加固技术对器件抗辐射能力的影响，包括嵌入式加固技术、后加固技术等。实验结果表明，在不同情况下，加固技术对器件的抗辐射能力有不同程度的提升。
5.结论
本研究通过总剂量辐射实验和加固技术比较，深入地探索了闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术的优化。结果表明，总剂量辐射对器件性能产生了显著的负面影响；同时，通过采用有效的加固技术，可以提高器件的抗辐射能力，保持器件特性的稳定性。这对闪存分立器件的研究和应用提供了重要的参考和借鉴。