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纳米CMOS器件的量子化效应研究的中期报告
导言
纳米CMOS器件的量子化效应研究已经成为当前纳米电子学领域的热点之一，其涉及到纳米器件的性能特征，制备过程以及最终应用等多个方面。本中期报告主要对纳米CMOS器件的量子化效应进行研究，包括量子点、量子阱以及量子线等方面。
一、量子点
量子点是指最小的能量单元，大小约为10至100纳米。在纳米CMOS器件中，量子点主要用于构成电子透镜，来控制电子的行为。通过制备不同材料的量子点可以实现电子结构的调控，从而使器件具有特定的功能特征。
本研究采用化学气相沉积法制备了红外光响应型的铁（Fe）掺杂硅（Si）量子点，通过光致发光谱研究发现它的发光能力强且稳定，表现出了优异的光电特性。
二、量子阱
量子阱是指在晶格结构中夹杂的层，大小在几纳米至几十纳米之间。由于量子阱中的电子“被困”在其中，使得其所表现的行为具有特殊的量子特征，可以用于制造电子材料和光电器件。
本研究采用MBE技术制备了氮（N）掺杂镓砷（GaAs）量子阱，通过光电特性测试发现其具有优异的电特性，可以在太阳能电池等电气器件中得到应用。
三、量子线
量子线是指由量子点连成的线条，类似于纳米管材料。由于其具有特殊的能带特性，具有优异的电、光和热性质，可以用于纳米器件的制造以及生物医学领域的研究。
本研究采用化学液相沉淀法制备了镉硫（CdS）量子线，通过SEM和TEM测试发现其形貌规整，具有优异的电性能。
结论
本研究主要研究了纳米CMOS器件的量子化效应，包括量子点、量子阱和量子线等方面。通过制备不同材料的量子化结构，使得器件具有特殊的电、光和热性质，可以用于制造新型器件以及生物医学领域的研究。