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杂质、缺陷及边缘修饰对锯齿型石墨烯纳米带输运性质的影响的综述报告
锯齿型石墨烯纳米带是一种具有优异电学、磁学和光学性质的二维材料。因其优异性能，石墨烯纳米带已成为纳米电子学、纳米器件、生物传感器等领域的研究热点。然而，锯齿型石墨烯纳米带的应用受到杂质、缺陷及边缘修饰的严重影响。本文将综述这些因素对锯齿型石墨烯纳米带输运性质的影响。
一、杂质
锯齿型石墨烯纳米带中的杂质会导致其耗散和散射，从而对其输运性质造成影响。杂质可以来自于制备过程、表面吸附和氧化等。在锯齿型石墨烯纳米带中，晶格缺陷和杂原子是最常见的杂质。
晶格缺陷是指在石墨烯晶格中出现的缺失或错位，这种缺陷会导致弹子散射，增加了耗散。而杂原子则可能通过势垒散射或碎屑散射等机制影响电子输运。研究发现，掺杂碳、氮或硼等原子可引入局部电子态，从而影响石墨烯纳米带的输运行为。同时，杂原子也可以改变石墨烯纳米带的带隙，从而在器件应用中产生有用的属性。
二、缺陷
除了杂质外，锯齿型石墨烯纳米带中的缺陷也会影响其输运性质。缺陷可以由制备工艺和热应力引起，也可以由边缘形貌产生。石墨烯纳米带中的缺陷包括边缘缺陷、晶格缺陷、氧化和氢化等。
对于边缘缺陷，它们可能导致电流的漏电和散射。而晶格缺陷主要对双载流子和激子的运动造成影响。氧化和氢化会改变石墨烯纳米带的结构，增加其散射率和吸附性，从而影响输运性质。对于氧化，它可导致材料表面的酸化、羟基和羧基等改变，而氢化则会导致氢的吸附，形成C–H键，从而也产生氢化缺陷。
三、边缘修饰
在石墨烯纳米带的制备和应用中，边缘修饰也被广泛应用。它可以改变石墨烯纳米带的性质，增强其电学和磁学特性，实现对输运性质的调控。常见的边缘修饰方法包括氢化、氧化、硅化和硫化等。
氢化和氧化在调节石墨烯纳米带的带隙方面效果显著，进而调控其输运性质。硅化修饰会引入杂原子到石墨烯晶格中，从而改变其环境和带结构。而硫化可以提高石墨烯纳米带的导电性和磁学性质，从而实现对输运性质的调控。
综上所述，锯齿型石墨烯纳米带的杂质、缺陷和边缘修饰等因素均会对其输运性质造成影响。因此，对这些因素的研究和调节具有重要的意义，以推进石墨烯纳米带的应用。