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光子晶体结构优化对提高GaN基LED光提取效率影响的研究的综述报告
LED是一种高效、节能、环保的光电器件，因此被广泛应用于照明、显示、通信等领域。然而，当前LED的外量子效率（光提取效率）仍存在很大的提升空间，其中包括吸收率低和光产生后被吸收、漫射、反射等现象导致光子无法输出的问题。
为了提高LED的外量子效率，光子晶体在LED光提取效率优化方面得到了广泛的关注。光子晶体是一种具有周期性的介质结构，通过调控其结构、通常是空气孔或介电常数不同的介电材料所组成的晶格可形成光带隙，以实现对特定波长光的反射与传导。在LED中，光子晶体可增强发光材料的发光效果，从而提高外量子效率。
光子晶体在LED中的优化主要包括三个方面：设计结构、选择材料和制备方法。在设计结构方面，可以通过调整纳米粒子大小、晶体间距、晶格形状等途径来优化光子晶体的结构，从而提高光提取效率。一些研究表明，三维光子晶体表面的球形粒子间距离调节，可进一步提高LED的提取效率。
在选择材料方面，光子晶体材料的选择应优先考虑其透性和折射率，并考虑到其热稳定性、光学稳定性等因素。一些研究表明，将Al2O3填充到氮化镓的p-GaN层和ITO之间，可形成更加完整的光子晶体结构，提高LED的外量子效率。
在制备方法方面，通常采用溶胶凝胶、蒸镀、离子束刻蚀等方法来制备光子晶体。此外，还有一些新的制备方法，如可控反应法、自组装法等。
总的来说，光子晶体结构优化对提高GaN基LED光提取效率具有明显的优势和潜力。未来需要进一步加强对光子晶体结构与LED性能之间关系的研究，并将其应用于实际制造中，以实现GaN基LED的高效率、高亮度发光。