SU--8胶薄膜应力梯度测量方法研究的中期报告.docx

SU--8胶薄膜应力梯度测量方法研究的中期报告
中期报告：SU-8胶薄膜应力梯度测量方法研究
研究背景：
SU-8胶是一种常用的光刻胶，它通常用于制作微电子设备和微纳米加工领域中的光学器件和微流控系统等。SU-8胶薄膜的制备和应用广泛，但是其机械性质研究相对较少。SU-8胶的机械性质特别是薄膜的应力梯度也是微电子和微纳米加工领域中重要的研究方向。
研究目的：
本项目旨在开发一种测量SU-8胶薄膜应力梯度的方法，并深入研究SU-8胶的机械性质，以期为微电子和微纳米加工领域的应用提供基础研究支撑。
研究方法：
本项目采用剪切力法测量SU-8胶薄膜的应力梯度，该方法通过在胶薄膜表面施加剪切力并测量其变形来计算出胶薄膜的应力梯度。具体实验过程如下：
1.在SU-8胶薄膜表面施加剪切力；
2.用高分辨率光学显微镜测量胶薄膜表面的变形（位移）；
3.通过有限元分析计算出胶薄膜的应力梯度。
实验结果：
经过多次实验与模拟，我们成功地测量出SU-8胶薄膜的应力梯度，并得到如下结果：
1.SU-8胶薄膜的应力梯度随着厚度的增加而减小；
2.不同硅片衬底对SU-8胶薄膜的应力梯度影响不同；
3.应力梯度的大小与SU-8胶的光刻参数有关，特别是预曝光时间和曝光剂量。
结论：
本研究成功地开发了一种测量SU-8胶薄膜应力梯度的方法，并发现SU-8胶薄膜的应力梯度随着厚度的增加而减小，不同衬底对应力梯度的影响不同，应力梯度大小与SU-8胶的光刻参数有关。这些结论将为微电子和微纳米加工领域的应用提供基础研究支撑，有助于优化SU-8胶薄膜的应用。