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新型TaOx阻变存储器件制备与研究的中期报告
前言
随着信息技术的不断发展，存储技术也在不断革新，越来越多的领域需要高速、高稳定性、大容量的存储设备。TaOx阻变存储器件是一种新型的非挥发性存储器器件，具有如下特点：高密度、高速度、长寿命、低功耗、易于制备等。因此，TaOx阻变存储器件被广泛应用于各种电子设备中，并成为了研究热点之一。
本报告主要介绍了我们的研究团队在TaOx阻变存储器件制备与研究方面的中期进展情况，包括实验室中的制备方法、测试方法以及实验结果等。本报告旨在进一步促进TaOx阻变存储器件技术的发展，为电子设备领域的发展做出贡献。
一、实验室中的方法
1.制备方法
我们在实验室中采用磁控溅射法制备TaOx阻变存储器件。具体方法如下：
首先，在圆形玻璃基板上涂敷一层SiO2绝缘层，厚度为300nm；然后，将Ta靶片置于磁控溅射器中，以Ar气体作为惰性气体，调节放电功率、反应气体压力和溅射时间等参数，进行磁控溅射过程，得到TaOx薄膜；最后，通过光刻和化学蚀刻等工艺，将TaOx薄膜制成具有一定形状和大小的存储器件。
2.测试方法
我们采用电学测试法对制备后的TaOx阻变存储器件进行测试。具体方法如下：
首先，将制备好的TaOx阻变存储器件置于测试系统中，通电使器件达到非常规稳定状态；然后，采用不同的电信号作用在器件上，测量阻变存储器件的电学参数，例如电阻、导通能力、时间响应等。
二、实验结果
通过实验，我们获得了如下结果：
1.TaOx阻变存储器件在稳态下的内部电阻约为100KΩ，导通电流约为50A。
2.按照不同的电信号，TaOx阻变存储器件可以在快速导通状态和缓慢漏电状态之间切换。
3.在正向电压作用下，TaOx阻变存储器件的电子密度增加，导致电子在TaOx薄膜内的导电性增强；反之，在负向电压作用下，TaOx阻变存储器件的电子密度减小，导致电子在TaOx薄膜内的导电性减小。
三、结论
通过实验，我们发现TaOx阻变存储器件在制备和测试方面有很大的优势，具有较高的稳定性和可靠性。实验结果表明，TaOx阻变存储器件在未来的电子设备领域中具有广泛的应用前景，值得我们深入研究和探索。