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反应型氰离子传感器的设计合成及光谱研究的中期报告
一、设计合成
反应型氰离子传感器的设计合成考虑到以下几点：
1.反应机理：根据氰离子与硝基苯酚反应生成的产物，设计出反应型氰离子传感器。
2.敏感度和选择性：引入有机金属配合物或有机荧光分子作为传感器的敏感元件，提高传感器的敏感度和选择性。
3.成本和稳定性：选用成本低廉且稳定性好的化学品进行合成，使传感器具有良好的可行性和稳定性。
基于以上考虑，胡克体系被选作反应型氰离子传感器的敏感元件，并通过简单的合成方法得到胡克体系。同时，考虑到胡克体系的荧光效应存在较大的缺陷，如荧光效应的弱化、易受环境因素影响等问题，引入了巴比妥酸分子作为荧光增强剂，该分子可以与胡克体系形成氢键，增强胡克体系的荧光效应，提高传感器的敏感度和选择性。最后，以氰离子生成的产物对传感器进行光谱分析，验证了反应型氰离子传感器的可行性和稳定性。
二、光谱研究
在反应型氰离子传感器的光谱研究中，使用紫外可见吸收光谱和荧光光谱对传感器的光学性质进行研究。
1.紫外可见吸收光谱
经过对传感器的紫外可见吸收光谱研究发现：传感器在380-500nm范围内具有较强的吸收峰，在510nm左右存在轻微的吸收峰，说明传感器能够吸收可见光和部分紫外光谱范围内的光线。
2.荧光光谱
在荧光光谱研究中，选择了不同浓度的氰离子进行了反应，在416nm波长下激发，荧光光谱结果显示传感器在560nm范围内出现了显著的荧光强度增强，且随着氰离子浓度的增加，荧光强度逐渐增加。这也证明了引入巴比妥酸分子的荧光增强效果，拓展了传感器的应用范围和提高了传感器的灵敏度。
总之，通过对反应型氰离子传感器的设计合成和光谱研究，证明该传感器具有良好的可行性、良好的敏感度和选择性，并提供了可靠的理论和实验基础，为传感器的应用和推广奠定了基础。