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应用于深亚波长光刻的光学邻近校正技术研究的开题报告
开题报告
题目：应用于深亚波长光刻的光学邻近校正技术研究
一、研究背景
随着半导体工艺节点的不断推进，光刻技术也在不断发展。深紫外光刻（DUV）已经成为目前最主流的光刻技术，然而，随着工艺尺寸的进一步缩小，DUV的波长也已经逼近极限，出现了诸多问题。例如，光刻道很难到达纳米级别，因为DUV光波及其的深度和图形不规则会导致严重的光刻误差。因此，邻近校正技术成为了深亚波长光刻的一个重要研究领域。
二、研究内容与方法
本次研究旨在探究应用于深亚波长光刻的光学邻近校正技术。主要内容和方法如下：
（一）研究邻近校正方法，包括规则与分形校正、模拟退火校正等。
（二）研究应用时间域有限差分（FDTD）方法建立深亚波长光刻仿真模型，在模拟中观察邻近校正技术在不同光刻图形下的校正效果。
（三）在仿真中提炼出实验可行的邻近校正方法，并进一步验证实验结果。
三、预期成果
（一）完成对邻近校正技术的系统研究，建立深亚波长光刻仿真模型。
（二）在仿真模拟中验证邻近校正技术在光刻图形校正上的可行性。
（三）验证预测的邻近校正方法的实用性，并在实验上得到该方法的验证结果。
四、研究意义与应用价值
该研究可以提高深亚波长光刻的精度，实现更高的制造成功率和可靠性，使得光刻技术在半导体制造中依然发挥重要作用。同时，该研究可为芯片设计与制造提供技术支持。
五、进度安排
第一年：阅读文献，研究邻近校正方法，进行模拟仿真。
第二年：验证仿真实验，并提出可行性较强的邻近校正方法，进行实验验证。
第三年：总结研究所得成果，编写成果报告、发表论文。
六、参考文献
1.C.H.Ding,P.H.Chang,andW.C.Huang,“OpticalproximitycorrectionforDUVlithography,”Microelectron.Eng.75,145–150(2004).
2.StevenG.Hansen,“OpticalProximityCorrection:thepastandthefutureofintegratedoptics,”SPIENewsroom,September19,2013.
3.XuMa,ZhiqiangLiu,BingquanZhang,ZijieLiang,“Opticalproximitycorrectionfordeep-ultravioletlithographywithregularization,”Proc.SPIE.10148,101482A(2017).