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铜铟镓硒薄膜的制备及其性能研究的中期报告
本报告主要介绍铜铟镓硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜的制备及其性能研究的中期进展。
一、薄膜制备
1.溶剂热法
采用溶剂热法在玻璃基板上制备CIGS薄膜。先在玻璃基板上涂上一层光敏胶，然后利用滴定法将Cu、In、Ga、Se无机盐溶液滴在光阴极上，再用溶剂热法制备薄膜。
2.直接沉积法
采用直接沉积法在玻璃基板上制备CIGS薄膜。将Cu、In、Ga金属靶材置于真空室内的靶材架上，然后在基板上依次沉积Cu、In、Ga金属层，最后在高温下进行硒化反应，形成CIGS薄膜。
二、薄膜性能研究
1.结构分析
使用X射线衍射(XRD)技术，分析了两种制备方法的CIGS薄膜的结构。结果表明，两种方法制备的CIGS薄膜均为黄铜矿结构。
2.光学性能
采用光谱测量仪(UV-vis)测量了两种制备方法的CIGS薄膜的光谱响应特性。结果表明，两种薄膜在可见光范围内均具有很好的透光性。
3.电学性能
采用四探针测量仪测量了两种制备方法的CIGS薄膜的电学性能。结果表明，两种薄膜均具有很好的导电性能，并且具有p型半导体特性。
综上所述，采用溶剂热法和直接沉积法均可制备出结构均为黄铜矿的CIGS薄膜，并且薄膜具有良好的光学和电学性能。接下来，我们将继续研究不同工艺条件下的CIGS薄膜的制备和性能，以进一步提高薄膜的光电转换效率。