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基于InGaAsInP雪崩光电二极管的近红外单光子探测的综述报告
近年来，单光子探测技术正在迅速发展，广泛应用于光学通信、量子信息处理、量子密钥分发等领域。在这些应用中，近红外单光子探测技术尤其受到重视。本文将综述基于InGaAsInP雪崩光电二极管的近红外单光子探测技术的研究进展。
近红外单光子探测技术的研究历程可以追溯到20世纪90年代。当时，利用宽带隙热电偶探测器可实现近红外光子探测。但是，由于热电偶探测器的热噪声等级高，并且器件响应速度较慢，因此很快被新型探测器取代。目前，主流的近红外单光子探测器包括铟镓阴极光电倍增管（InGaAsPMT）、固态单光子探测器（SSPD）、超导单光子探测器（SNSPD）以及基于雪崩效应的单光子探测器（SPAD）等。其中，基于雪崩效应的单光子探测器因其高效、高性能等优点而获得了广泛应用。
InGaAsInP材料的波长范围为0.9~1.7um，与常用的光通信波长重合。因此，它是一种理想的近红外单光子探测材料。与常规InGaAsSPAD（工作波长在0.9~0.95um）相比，InGaAsInPSPAD的工作波长范围更广，对于分子和细胞生物学等领域的应用更加有利。然而，InGaAsInP材料的生长技术较为复杂，制备成本较高，限制了其进一步发展和应用。近年来，随着生长技术的改进，InGaAsInP材料的制备技术取得了很大进展。同时，微细加工技术的发展，也使得InGaAsInPSPAD的性能进一步提升，如时间分辨率和峰值探测效率等。
目前，InGaAsInPSPAD主要应用于光子对距离测量、光子计数、量子信息处理中的光子对态制备（Bell态）等领域。在这些应用中，它主要发挥了高效、更广的工作波长范围和优越的性能等优点。
总之，基于InGaAsInP材料的雪崩光电二极管的近红外单光子探测技术在近年来得到了大量研究和应用。随着生长技术和微细加工技术的不断发展，它的性能得到了进一步提升，对于近红外光子探测领域的发展具有重要的意义。