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工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件性能的影响的综述报告
随着半导体工艺的不断发展，深亚微米CMOS器件已经成为了当今电子工业中的重要组成部分。然而，这些器件在制备和使用过程中，会受到各种各样的机械应力的影响。这些机械应力对器件的性能会产生不同程度的影响，因此对于深入研究CMOS器件的性能和稳定性，需要对机械应力的影响进行深入探讨和分析。
在半导体器件制备的过程中，由于各种原因，会引入不同形式的机械应力。例如，在制备过程中使用的化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）过程中，由于薄膜的沉积速率不同，会产生应力。此外，在制作晶体管的过程中，由于各个层次之间的热膨胀系数不同，也会产生应力。此外，还有温度的变化、封装和处理时的机械应力等等都会对器件产生影响。
对于CMOS器件性能受机械应力影响的研究，主要涉及到以下几个方面。首先，机械应力会对器件的导电特性产生影响。由于深亚微米CMOS器件中晶体管的尺寸很小，因此加入机械应力后就会导致电场分布的变化，从而影响电的传导。实验表明，机械应力对晶体管的驱动电流有明显的影响，而且不同种类的机械应力产生的影响也不同。例如，压缩应力会减小电阻率，而张应力则会增大电阻率。
其次，机械应力还会对CMOS器件的耗散功率产生影响。由于器件中的电流密度非常高，就会导致器件的温度升高。而温度的升高又会进一步诱发热应力，这会对器件的电性能和可靠性产生较大的影响。尤其在高密度积累的CMOS器件中，这种影响尤为显著。
另外，机械应力还会对CMOS器件中的缺陷产生影响。由于机械应力会影响器件的表面形态和内部结构，在制备过程中出现的缺陷就会被放大，这会对器件的性能和可靠性产生较大的影响。此外，由于机械应力对晶体管金属线的影响，也会导致线宽变窄或断裂等问题，这也会影响器件的性能和稳定性。
总的来说，机械应力对深亚微米CMOS器件的影响是非常显著的。在实际工艺过程中，需要针对不同形式的机械应力进行逐一分析，以避免其对器件性能和可靠性的影响。同时，也需要对机械应力影响的机理进行深入研究，为制备更高性能和更高可靠性的深亚微米CMOS器件提供技术支持。