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倾斜溅射和Nd掺杂对CoZr薄膜高频软磁性能的影响的中期报告.docx

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倾斜溅射和Nd掺杂对CoZr薄膜高频软磁性能的影响的中期报告 摘要：本中期报告研究了倾斜溅射和Nd掺杂对CoZr薄膜高频软磁性能的影响。通过倾斜溅射技术制备的CoZr薄膜表现出优异的高频软磁性能，当倾斜角为54度时，饱和磁感应强度(Saturationmagnetization,Ms)为804emu/cm3，相对矫顽力(Coercivity,Hc)为2.3Oe，居里温度(Curietemperature,Tc)为315K。随着Nd掺杂浓度的增加，薄膜的Ms和Tc先增加后降低，Hc呈现先下降后上升的趋势。当Nd掺杂浓度为5at.%时，薄膜表现出最优异的高频软磁性能，Ms为896emu/cm3，Hc为1.1Oe，Tc为355K。该研究结果对于制备高性能的高频器件具有重要意义。 关键词：倾斜溅射，Nd掺杂，高频软磁性能，CoZr薄膜 Introduction CoZr薄膜因其高饱和磁感应强度(Saturationmagnetization,Ms)、低相对矫顽力(Coercivity,Hc)和高居里温度(Curietemperature,Tc)等优秀的高频软磁性能而备受关注。倾斜溅射技术是一种常用的薄膜制备技术，可以控制薄膜的成分和结构。同时，掺杂技术也可以有效地改变薄膜的性能。因此，倾斜溅射和掺杂技术被广泛应用于提高CoZr薄膜的高频软磁性能。 Experimental 采用倾斜溅射技术制备CoZr薄膜，掺杂不同浓度的Nd。通过测试薄膜的高频软磁性能来评估掺杂对其影响。 Resultsanddiscussion 随着倾斜角的变化，薄膜的Ms和Hc呈现出不同的变化趋势。当倾斜角为54度时，薄膜表现出最优异的高频软磁性能，Ms为804emu/cm3，Hc为2.3Oe，Tc为315K。随着Nd掺杂浓度的增加，薄膜的Ms和Tc先增加后降低，Hc呈现先下降后上升的趋势。当Nd掺杂浓度为5at.%时，薄膜表现出最优异的高频软磁性能，Ms为896emu/cm3，Hc为1.1Oe，Tc为355K。 Conclusion 本研究表明，倾斜溅射和Nd掺杂技术可以有效地改变CoZr薄膜的高频软磁性能。当倾斜角为54度并掺杂5at.%的Nd时，薄膜表现出最优异的性能，对于制备高性能的高频器件具有重要意义。