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聚硅烷电子输运性质的理论研究的综述报告
聚硅烷是一种具有活泼的化学反应活性的有机杂化材料，因此具有广泛的应用前景。聚硅烷根据不同的制备方法和化学结构，具有不同的电子输运性质。在聚硅烷材料的应用和性能提高中，电子输运性质的研究是非常重要的。本文将对聚硅烷电子输运性质的理论研究进展进行综述。
聚硅烷以其简单、便捷和多样性的化学合成方法获得了广泛的关注。聚硅烷的化学结构决定了其电子输运性质，因此，深入研究聚硅烷的电子输运性质是必要的。最近，通过计算化学方法，大量的理论研究成果被发表在高水平期刊中。本文将综述基于密度泛函理论的计算方法来研究聚硅烷的电子输运性质。
密度泛函理论是目前材料计算中最为广泛应用的一种理论方法，特别是在杂化材料的研究方面。密度泛函理论通过电子密度来描述物质的基本性质，例如结构和能量。对于聚硅烷材料的研究，密度泛函理论对于描述该材料的电子输运性质非常有用。目前，研究人员使用密度泛函理论研究了聚硅烷的电子传输性质，如载流子迁移率、能带结构和能量级等。
聚硅烷的电子传输特性主要通过其带隙和载流子迁移率来描述。带隙反映了电子的能量和带电子的传导情况，而载流子迁移率描述了电子在材料中移动的速度。在聚硅烷中，带隙大小或者载流子迁移率的差异来自于化学结构中Si-C键和Si-Si键间的互相作用。研究人员通过一系列计算模型成功预测了带隙的大小和形状。在其中，使用tight-binding模型对聚硅烷-硼氮化合物复合催化剂的研究成功预测了其带隙的大小。
此外，许多实验结果表明，掺杂能显著影响材料的载流子传输性质。本领域的研究人员通过计算化学方法研究了掺杂对聚硅烷载流子传输性质的影响。研究表明，杂原子掺杂在Si-C键上会导致载流子的局域和中心化，从而提高了载流子传输性能。同时，在聚硅烷中掺杂部分硼原子可以极大地提高聚硅烷的载流子迁移率。
总的来说，计算方法在研究聚硅烷的电子传输性质方面已经取得了很多进展。研究人员通过模拟掺杂，改变聚硅烷的结构，从而提高其载流子传输性能。此外，计算方法也可用于预测聚硅烷的电子传输特性，并为发展新型聚硅烷材料提供指导。尽管如此，在实际应用中，更多的实验工作仍然是必要的。