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1Mb高速低功耗SRAM的设计的中期报告
本文介绍的是一份1Mb高速低功耗SRAM的中期报告，该项目的目标是设计一个集成电路，以实现高速低功耗的1MbSRAM存储器。
1.设计细节
在设计过程中，我们首先选择了合适的SRAM单元，然后使用VerilogHDL建立了整个存储器的RTL代码（RegisterTransferLevel）。
接下来，我们将SRAM数组分成了1024个块，每个块包含1024个SRAM单元，每个单元有4位数据宽度和1位地址宽度。然后，我们实现了读写逻辑以及基于写入控制的写回机制。
此外，我们还为SRAM存储器添加了地址缓存，以降低对读写数据访问的延迟。该地址缓存可以存储最常用的地址，并减小了需要正式访问内存的次数。
为了实现高性能和低功耗的组合，我们采用了不同的技术，如非常规布线、时钟门控、powergating等。我们还使用了适当的时钟频率和工艺来优化设计。
2.中期进展
我们成功地完成了SRAM数组的RTL代码、读写逻辑、写回机制、地址缓存和时钟门控。我们还成功地进行了初步的仿真和测试，以验证设计的正确性和功能性。
此外，我们还使用TannerEDA设计软件评估了设计的功耗和时序性能。根据我们的初步评估，我们的设计具有高性能和低功耗的优点。
3.下一步工作
针对下一步我们计划实现以下几个方面的工作：
-完成写入路径和地址缓存的带随机写入测试的仿真和验证
-讨论优化电路结构，以提高功率效率并更好地满足性能要求
-开始添加其他电路功能并进行全面的电路仿真和测试来评估最终性能
-设计和实现满足工艺规格的物理版
4.结论
通过我们的中期进展，我们已经证明这项SRAM存储器设计的可行性和潜力，未来的工作将需要实现更多的电路功能和更完整的实现来确保我们达到高性能和低功耗的要求。