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基于SiGe工艺的线性射频功率放大器设计的中期报告
第一部分：引言
线性功率放大器是无线通信系统中至关重要的组件，它被广泛用于手机、卫星通信、雷达、航空航天等领域中。射频功率放大器是其中的一种，它的主要作用是将低功率的射频信号放大到一定的功率水平的同时保持信号质量（如线性度、带宽等）不受损失。SiGe材料由于其高达27GHz的截止频率、低噪声、高增益、低功耗等优点而被广泛应用于射频功率放大器的设计中。
本次中期报告主要分为两个方面：一是总结前期文献综述的结果，明确本研究的需求；二是介绍在参考前期文献的基础上，搭建了一个基于SiGe工艺的线性射频功率放大器的电路模型，最后通过仿真的方式验证了该模型的效果。
第二部分：文献综述
文献综述主要涉及到线性功率放大器的基本概念、性能指标、常用电路结构、SiGe材料的特性等方面。在前期的文献调研中，我们了解到线性射频功率放大器的最基本的参数有功率（Pout）、增益（Gain）、输入/输出阻抗匹配（Input/OutputMatch）、线性度（Linearity）和带宽（Bandwidth）等方面。要想设计一种性能优异的线性射频功率放大器，必须同时考虑以上所有的指标。
此外，在电路结构方面，文献中提到了很多种典型的线性功率放大器的电路结构，如Cascode电路、共源共栅（CS/CG）架构、共基架构、分布式放大器等。在SiGe材料的特性方面，由于SiGe材料的高截止频率、高增益、低噪声、低功耗等优点，实际应用中的SiGe工艺的特点在很多论文中被提到。因此，我们决定基于SiGe工艺设计一个线性射频功率放大器。
第三部分：电路模型设计
在前期文献综述的基础上，我们设计了一个基于SiGe工艺的线性射频功率放大器电路模型，如下图所示。
（插入电路图）
整个电路模型的核心部分是双极型晶体管和多级（3级）带源极分布式放大器电路。双极型晶体管有较高的输出阻抗，可以有效提高输出功率，多级放大器电路可以在减小电路的电阻和电抗损耗的同时提高放大器的增益和线性度。整个电路模型的最终输出是经过功率分配器分配后的两路输出。
第四部分：仿真结果分析
为验证我们搭建的基于SiGe工艺的线性射频功率放大器电路模型的效果，我们使用AdvancedDesignSystem（ADS）对电路模型进行了仿真计算。在仿真时，我们主要考察了电路模型各指标之间的关系以及各指标在不同输入功率下的变化情况。
通过仿真计算的结果，我们发现该电路模型具有较高的输出功率和较好的线性度。而增益和带宽稍显不足，这一结果可能与电路模型中多级放大器的放大倍数选择和信号抑制度等因素有关。我们将进一步优化电路模型，力求在各指标之间取得更好的平衡。
第五部分：总结和展望
本次中期报告主要基于前期的文献调研，设计了一个基于SiGe工艺的线性射频功率放大器电路模型，并通过仿真计算验证了该模型的效果。在未来的研究工作中，我们将进一步优化电路模型，实现各项指标之间的更好平衡，提高整个电路模型的性能。