硅基SnO2异质结器件的电致发光及其增强策略的研究的中期报告.docx
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硅基SnO2异质结器件的电致发光及其增强策略的研究的中期报告.docx
硅基SnO2异质结器件的电致发光及其增强策略的研究的中期报告报告摘要:本研究旨在探究硅基SnO2异质结器件的电致发光特性及其增强策略,为制备高性能电致发光器件提供理论基础与实验依据。本报告主要介绍了研究工作的中期进展,包括以下几个方面:1.实验方法的优化与器件制备通过优化实验方法,我们成功制备出了质量较优的硅基SnO2异质结器件,并对其进行了表征和测试。结果表明,所制备的器件具有良好的电致发光特性和稳定性。2.电致发光特性的表征与分析我们对所制备的硅基SnO2异质结器件进行了电致发光特性的表征和分析。结果
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AlGaNGaN异质结器件的肖特基接触研究的中期报告该研究旨在探究AlGaNGaN材料的肖特基接触特性,并利用这些特性设计并制备具有优异性能的AlGaNGaN异质结器件。在中期报告中,我们完成了以下工作:1.成功合成了AlGaNGaN材料,通过扫描电子显微镜和X射线衍射技术对其进行了表征,确认了其化学组成和结晶性能。2.利用真空蒸镀技术分别在AlGaN和n型GaN材料上制备了金属电极并制备了肖特基二极管。通过电性能测试和X射线光电子能谱仪表征了二极管的电学特性和材料接触质量。3.进一步探究了AlGaNGa