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国产PDCMOSSOI器件和电路的辐照损伤效应及机理研究的综述报告
随着集成电路技术的不断发展，CMOS技术已经成为电子工业中的主要技术之一。CMOS技术的优点在于低功耗、高速度、稳定性好等方面，使得CMOS技术被广泛应用于各个领域。这些CMOS器件，在遭受高能粒子辐照时，往往会产生辐射损伤效应，这种损伤效应会严重影响继续电子器件的应用和可靠性，因此，对CMOS器件及其电路的辐照损伤效应进行深入研究至为重要。
国产PDCMOSSOI器件和电路的辐照损伤效应及机理研究是目前热门的研究方向之一，在此背景下，本文将对该领域的研究现状作一简单综述。
国产PDCMOSSOI器件和电路的辐射损伤机制主要包括电离辐射和中子辐射两种。电离辐射是指轨道电子的离散、击穿等作用引起的辐射效应，通常在高能质子和重离子入射下发生。中子辐射是指中子能量损失以及碰撞引起的空穴与电子重新组合等作用引起的辐射效应，通常在中子入射下发生。
电离辐射对PDCMOSSOI器件及电路的损伤主要表现为线性损伤和非线性损伤两种情形。其中，线性损伤是指在电离辐射下电子与缺陷的碰撞引起的缺陷密度增加，从而导致器件电学性能改变的情况；而非线性损伤是指在电离辐射下，器件由于电离积累效应导致电荷快速积累，造成晶格破坏、热效应等问题。
中子辐射也会对PDCMOSSOI器件及电路造成损伤，主要表现为salt损伤、bulk损伤、ELDRS等几种模式。其中，salt损伤是指伽马或中子辐射下产生的键合关闭的几率增加导致器件出现故障的现象；bulk损伤是指由于中子与硅离子的碰撞与作用，导致硅离子的缺陷积累，从而影响整个器件的性能；ELDRS效应则是指在行星环境或重离子粒子加速器（HIBA）中，长时间重离子辐照后，器件的静态、动态和噪声性能等受到影响。
针对上述辐射损伤机制，国内相关研究团队已经做了大量工作，主要包括：PDSOI器件的电离辐射损伤、PDSOI器件的中子辐射损伤、PDCMOS器件的ELDRS效应研究等几方面。研究发现，PDCMOS器件在电离辐射下容易发生非线性效应，而在中子辐射下的损伤主要体现在salt和bulk损伤等方面。此外，通过对PDSOI器件和PDCMOS器件进行辐射加速寿命测试，可以有效地评估器件的辐射耐受能力。
综上所述，PDCMOSSOI器件和电路的辐照损伤效应及机理研究尚处在深入发展的阶段，该领域的研究具有很大的研究价值和应用前景。