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水热法生长ZnO纳米线及其表面修饰场发射特性研究的中期报告
本研究旨在通过水热法生长ZnO纳米线并对其表面进行修饰，研究其场发射特性。本报告为中期报告，介绍了已完成的研究工作及初步结果，同时概述了接下来的研究计划。
研究工作：
1.水热法生长ZnO纳米线：采用水热法在硅衬底上生长了ZnO纳米线，调节不同的反应条件实现纳米线的生长控制。
2.表面修饰：采用不同的化学方法对ZnO纳米线表面进行修饰。目前已尝试了硫化氢和氧化镁两种方法。
3.器件制备：通过电镀法制备出了场发射器件，将修饰后的ZnO纳米线作为场发射材料。
初步结果：
1.通过SEM和TEM观察，成功地生长出了单晶ZnO纳米线，其直径在50-200nm之间，长度达到几微米。
2.经过表面修饰，ZnO纳米线表面出现了硫化物或氧化物的覆盖，能够显著改变其表面形貌和化学性质。
3.通过电学测试发现，相对于未修饰的ZnO纳米线，表面修饰后的纳米线具有更好的场发射性能。其中，通过硫化氢修饰的ZnO纳米线具有更好的场发射特性。
研究计划：
1.对表面修饰的机理进一步探究，采用更为精确的表征手段。
2.结合表面修饰和生物分子功能化，研究其在生物传感器方面的应用。
3.搭建完整的测试系统，探究ZnO纳米线的场发射稳定性、寿命等性质，并寻求进一步提高其场发射性能的方法。