超深亚微米氮氧硅栅介质MOSFET的NBTI特性研究的开题报告.docx

超深亚微米氮氧硅栅介质MOSFET的NBTI特性研究的开题报告
一、研究背景
随着集成电路技术的不断发展，器件尺寸不断缩小，深亚微米及纳米级器件的研究成为了当前的一个热点。氮氧硅栅介质MOSFET(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor)作为深亚微米级器件中的关键器件，已经广泛应用于各种高速/低功耗应用领域。但是，随着晶体管功率供应电压的不断降低，器件的可靠性却成为了一个重要的问题。NBTI(negativebiastemperatureinstability)是提高晶体管性能的一种重要手段，然而，在功率供应电压较低的情况下，NBTI对器件的影响也变得越来越重要。因此，了解和研究NBTI特性，对于设计更可靠的深亚微米级氮氧硅栅介质MOSFET器件具有重要意义。
二、研究内容
本文将研究超深亚微米氮氧硅栅介质MOSFET器件的NBTI特性。具体研究内容如下：
1.研究超深亚微米氮氧硅栅介质MOSFET器件在NBTI条件下的性能损失程度。
2.探究不同温度、电场强度、应变等因素对NBTI特性的影响。
3.通过电学和物理分析方法，深入了解NBTI的机理。
三、研究方法
本研究将采用实验和模拟相结合的方法进行。
1.实验研究将通过制备不同工艺条件下的超深亚微米氮氧硅栅介质MOSFET，分析其NBTI特性。采用直流参数测试仪和直流-交流混合测试仪，分析器件在NBTI条件下的性能变化。同时，利用电子探针等设备，观察和分析器件表面和内部结构的变化。
2.模拟研究将通过使用TCAD工具，模拟器件在NBTI条件下的行为。通过比较实验和模拟结果，得出相应的结论。
四、研究意义
本研究将对深入了解超深亚微米级氮氧硅栅介质MOSFET器件的NBTI特性具有重要意义。研究结果不仅可以揭示NBTI的机理，为氮氧硅栅介质MOSFET器件的设计提供重要参考，同时也为制造更高品质的微型电子器件提供了良好的方法和手段。