利用磁控溅射制备铟镓锌氧化物薄膜晶体管的研究的开题报告.docx

利用磁控溅射制备铟镓锌氧化物薄膜晶体管的研究的开题报告
一、选题背景与意义
铟镓锌氧化物（IGZO）是一种新型的透明导电材料，因其高透明度和高载流子迁移率等优良特性，在薄膜晶体管等电子器件中有广泛应用。目前，IGZO薄膜晶体管制备方法有很多种，其中磁控溅射法制备IGZO薄膜晶体管是一种非常有效的方法，得到了广泛关注。
本文将探讨IGZO薄膜晶体管磁控溅射制备方法的优缺点，并研究IGZO薄膜晶体管的性能，以期对IGZO薄膜晶体管制备和性能的研究做出有益的贡献。
二、研究目标
本文的研究目标是通过磁控溅射法制备IGZO薄膜晶体管，探索不同条件下IGZO薄膜晶体管的性能差异，并通过实验分析IGZO薄膜晶体管的物理性质，以期实现IGZO薄膜晶体管的制备和应用。
三、研究内容
1.IGZO薄膜晶体管的磁控溅射制备方法的研究。
2.不同实验条件下IGZO薄膜制备工艺的优化和实验研究。
3.分析IGZO薄膜晶体管的物理性质和性能差异。
4.探究IGZO薄膜晶体管的应用前景。
四、研究方法
本文采用实验研究和理论分析相结合的方法进行研究。其中，实验研究部分将采用磁控溅射法制备IGZO薄膜晶体管，并在不同条件下进行性能测试。在理论分析部分，将通过文献资料的搜集和分析来深入探讨IGZO薄膜晶体管的性质和应用。
五、预期成果
通过本文的研究，预计得到以下成果：
1.掌握IGZO薄膜晶体管磁控溅射制备的原理和工艺。
2.实现不同条件IGZO薄膜晶体管的制备和性能测试，选择最优方案。
3.研究IGZO薄膜晶体管的性能差异，预测其应用前景。
4.为IGZO薄膜晶体管的应用提供参考和基础研究。
六、研究时间节点
|时间节点|完成任务|
|---------|---------|
|第1-2周|文献阅读和综述写作|
|第3-4周|IGZO薄膜晶体管的制备和实验测试|
|第5周|数据分析和讨论|
|第6周|论文写作和修改|
|第7周|答辩准备和汇报|
七、参考文献
1.林斌，李亮，周健明等.磁控溅射制备IGZO透明导电薄膜的优化[J].人工晶体学报，2015（9）：2296-2301.
2.Li,Y.,Sun,H.,&Zhang,R.(2015).AstudyonelectricalcharacteristicsofamorphousIn-Ga-Zn-Othinfilmtransistorsfabricatedbyreactivesputtering.MicroelectronicsJournal,46(9),777-781.
3.张子龙，孙明.铟镓锌氧化物透明导电薄膜的研究进展[J].材料导报，2014（7）：67-72.
4.Chiang,Y.C.,Chen,B.H.,Lin,M.H.,&Chang,S.P.(2017).Indium–gallium–zincoxidethin-filmtransistorsusingaTiO2gateinsulatorforflexibledisplays.ThinSolidFilms,636,901-904.
5.Park,J.H.,Min,B.K.,Kang,S.M.,Cho,E.C.,Han,H.J.,&Kim,J.M.(2017).Influenceofpost-annealingtemperatureandtimeontheelectricalpropertiesofInGaZnOthinfilmtransistorspreparedbyRFmagnetronsputtering.Vacuum,146,52-56.