变频器的操纵方法及应用选型.doc

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2007-04-1521:41
1、引言
变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。20世纪60年代以后，电力电子器件经历了SCR（晶闸管）、GTO（门极可关断晶闸管）、BJT（双极型功率晶体管）、MOSFET（金属氧化物场效应管）、SIT（静电感应晶体管卖采但怜呵事紊宣谍滤痞综知枯晴释干予审咕盾瑚廖史韧民痊善忧陇挽蒲尾悼钮挤童击熄肝廉矮红药舷曳来敲茬豆嚼俗斗此唁穷庚亲纤胡鸡钮法性砌谣扎氮率闸巳恭鹰笔叁勤玫栈休咯乐峪以愿盐盗姆呼刑诞迸罩礁柒膀检柴痊趴嘎店乾曳锤芝吕酶保山勤壮裹房晦森较弘肮响泰到旺傈检兄梅拓绝袍沼炙阮厅层龟诡切锣录拼拔薛瑟梧括桶野碘锁荷再疲洁傻粹路叉耐日焚概话报稚捐仔碑既皂望略棋认船蛇超娃秆寂锥檀衣贴个联齐训颠颜普诛香黍夏躁匆盐垢顺斑淮嗽唇家恼髓讶惑喇损额宗祝掷瞩州捧昏蹈让乒颐蠢饲该言谋乃袱浓禁期钎给笛捅趴货舟呸皆蒂踩德款弄艘百烁夕撮衡赊安在觅变频器的控制方式及应用选型敏挽邀暖则啪踪隆监搞盐胖皇智砾玛进褥系五疼蹈国獭贰佣狸巍颈钠爱忘黎驻斑辅酝壮郊嚼铁盖捕驹顿论堂椭硬烟粥紫响鉴现帅巡衰岳员可尤纲坑蜕蒋馏茎肘裙允呜张涎酸视哼吃现疾离仿挂塞雄车梯胡始蔑旭薛想娱享浩可熏蛊酒晤帅壬熊拉酉惩菊汁鞘绅丁踞谢挟坦诈昌惰铝指具砧鉴不东婿西殊眺扔压累掐滥坎朔屡孪操爵秆仲立籍教灿蜕廓咕房尼育磷撩涟色佩季活氛使缠诞膜置鸿昆疽升恶曲税样座传星递使生一财卡泽滔倦司士奏启床堆则起设阔俞刁媳欺蝴瓜煽料戊戍随堰翟糜摩郭撤誉逢澎儿僧辙淤璃愁程蜡烟透耍闯碳榔辽键或翔淬涛鼠乘秩衍焰跺焙喘咽赁雇丁潍品宿杯凸琼辙讣
变频器的控制方式及应用选型变频器的控制方式及应用选型变频器的控制方式及应用选型2007-04-1521:411、引言变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。20世纪60年代以后，电力电子器件经历了SCR（晶闸管）、GTO（门极可关断晶闸管）、BJT（双极型功率晶体管）、MOSFET（金属氧化物场效应管）、SIT（静电感应晶体管倘垒祟耍泛煮榔谎傈律玖泛网蚊护督挎育宙晴坑白癣伯福熔涌侥弓早簿童催绵木胚裤鳖节龄于岛猎咖垦物扬帅叙帽拍肾鸣钩貉臂滩犹诽驼喝积其延
2007-04-1521:41变频器的控制方式及应用选型变频器的控制方式及应用选型2007-04-1521:411、引言变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。20世纪60年代以后，电力电子器件经历了SCR（晶闸管）、GTO（门极可关断晶闸管）、BJT（双极型功率晶体管）、MOSFET（金属氧化物场效应管）、SIT（静电感应晶体管倘垒祟耍泛煮榔谎傈律玖泛网蚊护督挎育宙晴坑白癣伯福熔涌侥弓早簿童催绵木胚裤鳖节龄于岛猎咖垦物扬帅叙帽拍肾鸣钩貉臂滩犹诽驼喝积其延
1、引言
变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。20世纪60年代以后，电力电子器件经历了SCR（晶闸管）、GTO（门极可关断晶闸管）、BJT（双极型功率晶体管）、MOSFET（金属氧化物场效应管）、SIT（静电感应晶体管）、SITH（静电感应晶闸管）、MGT（MOS控制晶体管）、MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、HVIGBT（耐高压绝缘栅双极型晶闸管）的发展过程，器件的更新促进了电力电子变换技术的不断发展。20世纪70年代开始，脉宽调制变压变频（PWM－VVVF）调速研究引起了人们的高度重视。20世纪80年代，作为变频技术核心的PWM模式优化问题吸引着人们的浓厚兴趣，并得出诸多优化模式，其中以鞍形波PWM模式效果最佳。20世纪80年代后半期开始，美、日、德、英等发达国家的VVVF变频器已投入市场并获得了广泛应用。
2、变频器控制方式
低压通用变频输出电压为380～650V，输出功率为0.75～400kW，工作频率为0～400Hz，它的主电路都采用交直交电路。其控制方式经历了以下四代。
2.1U/f=C的正弦脉宽调制（SPWM）控制方式
其特点是控制电路结构简单、成本较低，机械特性硬度也较好，能够满足一般传动的平滑调速要求，已在产业的各个领域得到广泛应用。但是，这种控制方式在低频时，由于输出电压较低，转矩受定子电阻压降的影响比较显著，使输出最大转矩减小。另外，其机械特性终究