IGBT驱动电路.ppt
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2动态开关特性曲线拖尾电流软开关技术当电流自然过零时使器件关断—零电流关断(ZCS)当电压下降到零时使器件导通—零电压导通(ZVS)可以减小开关损耗,提高系统的效率使dv/dt,di/dt减小,减小电磁污染和环境噪声全谐振型变换器(谐振变换器)准谐振变换器和多谐振变换器零开关PWM变换器零转换PWM变换器应用比较广泛的就是LLC谐振电路10一般来说我们推荐开通时,VGE=+15V,但应保证小于20V。正偏压增大,IGBT通态压降和开通损耗均下降,但若Uce过大,则负载短路时其Ic随Uce增大而增大,对其安
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IGBT驱动电路解说IGBT驱动电路解说IGBT驱动电路解说1.IGBT驱动电路的要求驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大,以驱动IGBT,保证IGBT的可靠工作,驱动电路起着至关重要的作用,图1为典型的PWM信号控制图腾柱电路以驱动IGBT开通与关断。对IGBT驱动电路的基本要求如下:图1IGBT典型驱动电路eq\o\ac(○,1)触发脉冲要有足够快的上升速度和下降速度,即脉冲沿前后要陡峭;eq\o\ac(○,2)栅极串联电阻Rg要恰当,Rg过小,关断时间过短,关断时产生的集电极尖
IGBT驱动电路0.doc
IGBT模块驱动及保护技术1引言IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。IGBT是电压控制型器件,在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压,只有μA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。但IGBT的栅极-发射极间存在着较大的寄生电容(几千至上万pF),在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数A的充放电电流,才能满
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