磁芯、电感器和制造磁芯的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105932013A(43)申请公布日2016.09.07(21)申请号201610104389.3(22)申请日2016.02.25(30)优先权数据14/632,5192015.02.26US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人苏彦硕郭俊聪卢玠甫(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409代理人章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L23/64(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图5页(54)发明名称磁芯、电感器和制造磁芯的方法(57)摘要磁芯包括具有基本均匀厚度的中心部分和连接至中心部分并且围绕中心部分的边缘部分。边缘部分包括底部和设置在底部上的顶部，其中，底部具有平缓的侧表面，而顶部具有陡的侧表面。磁芯的轮廓可以更像矩形，从而提供更好的电感器性能。本发明的实施例还涉及磁芯、电感器和制造磁芯的方法。CN105932013ACN105932013A权利要求书1/1页1.一种用于制造磁芯的方法，包括：在介电层上形成磁层；在所述磁层上形成第一光刻胶层并且图案化所述第一光刻胶层；蚀刻所述磁层，其中，在蚀刻所述磁层之后，暴露于所述第一光刻胶层之外的所述磁层的部分覆盖所述介电层；去除所述第一光刻胶层；在所述磁层上形成第二光刻胶层并且图案化所述第二光刻胶层；蚀刻所述磁层；以及去除所述第二光刻胶层。2.根据权利要求1所述的用于制造磁芯的方法，其中，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层由相同的掩模限定。3.根据权利要求1所述的用于制造磁芯的方法，其中，所述第二光刻胶层的部件大于所述第一光刻胶层的部件。4.根据权利要求1所述的用于制造磁芯的方法，其中，在蚀刻所述磁层之后，从所述介电层去除暴露于所述第二光刻胶层之外的所述磁层的部分。5.根据权利要求1所述的用于制造磁芯的方法，其中，在蚀刻所述磁层之后，暴露于所述第二光刻胶层之外的所述磁层的部分覆盖所述介电层。6.根据权利要求5所述的用于制造磁芯的方法，还包括：在所述磁层上形成第三光刻胶层并且图案化所述第三光刻胶层；蚀刻所述磁层，其中，在蚀刻所述磁层之后，从所述介电层去除暴露于所述第三光刻胶层之外的所述磁层的部分；以及去除所述第三光刻胶层。7.根据权利要求6所述的用于制造磁芯的方法，其中，所述第一光刻胶层、所述第二光刻胶层和所述第三光刻胶层由相同的掩模限定。8.根据权利要求1所述的用于制造磁芯的方法，其中，通过湿蚀刻工艺蚀刻所述磁芯。9.一种磁芯，包括：中心部分，具有均匀的厚度；以及边缘部分，连接至所述中心部分并且围绕所述中心部分，所述边缘部分包括底部和设置在所述底部上的顶部，其中，所述底部具有平缓的侧表面，而所述顶部具有陡的侧表面。10.一种半导体器件，包括：底部导电层；底部介电层，形成在所述底部导电层上；磁芯，形成在所述底部介电层上，所述磁芯包括：中心部分，具有均匀的厚度；和边缘部分，连接至所述中心部分并且围绕所述中心部分，所述边缘部分包括底部和设置在所述底部上的顶部，其中，所述顶部的侧表面比所述底部的侧表面更陡；顶部介电层，形成在所述磁芯上；以及顶部导电层，形成在所述顶部介电层上。2CN105932013A说明书1/8页磁芯、电感器和制造磁芯的方法技术领域[0001]本发明的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及磁芯、电感器和制造磁芯的方法。背景技术[0002]半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC。其中，每一代IC都具有比前一代更小和更复杂的电路。然而，这些进步也已经增大了处理和制造IC的复杂度，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。发明内容[0003]本发明的实施例提供了一种用于制造磁芯的方法，包括：在介电层上形成磁层；在所述磁层上形成第一光刻胶层并且图案化所述第一光刻胶层；蚀刻所述磁层，其中，在蚀刻所述磁层之后，暴露于所述第一光刻胶层之外的所述磁层的部分覆盖所述介电层；去除所述第一光刻胶层；在所述磁层上形成第二光刻胶层并且图案化所述第二光刻胶层；蚀刻所述磁层；以及去除所述第二光刻胶层。[0004]本发明的另一实施例提供了一种磁芯，包括：中心部分，具有均匀的厚度；以及边缘部分，连接至所述中心部分并且围绕所述中心部分，所述边缘部分包括底部和设置在所述底部上的顶部，其中，所述底部具有平缓的侧表面，而所述顶部具有陡的侧表面。[0005]本发明的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：底部导电层；底部介电层，形成在所述底部导电层上；磁芯，形成在所述底部介电层上，所述磁芯包括：中心部分，具有均匀的厚度；和边缘部分，连接至所述中心部分并且围绕所述中心部分，所述边