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基于围栅硅纳米线器件(GAA-MOSFET)的低功耗SRAM研究与优化设计的开题报告
一、选题的背景和意义
随着电子技术的发展和计算机的广泛应用，高性能、低功耗、小尺寸、高可靠性的存储器件成为现代电子系统中的重要组成部分，SRAM作为现代电子系统的主要存储组件之一已被广泛使用。
在SRAM的应用中，低功耗是一项至关重要的指标。随着移动设备的普及和物联网的发展，对电池寿命、尺寸和功耗的要求越来越高，低功耗SRAM成为了必然的趋势。
围栅硅纳米线器件(GAA-MOSFET)由于具有优异的控制电子渠道、高开关速度、低漏电流等特点，近年来引起了广泛关注。将GAA-MOSFET应用于低功耗SRAM设计中，有望实现低功耗、高速度、高可靠性等多项指标的提升。
二、研究内容和研究方法
本文主要研究基于围栅硅纳米线器件(GAA-MOSFET)的低功耗SRAM的研究与优化设计，具体内容包括：
1.GAA-MOSFET的基本结构、工作原理及性能分析；
2.低功耗SRAM的基本结构、工作原理及性能指标分析；
3.基于GAA-MOSFET的低功耗SRAM设计原理、关键技术和方法；
4.低功耗SRAM的性能模拟和优化设计。
研究方法采用理论分析、仿真和优化设计相结合的方式，通过建立模型和仿真验证，对低功耗SRAM关键性能指标进行分析和优化设计。
三、预期研究结果
通过本研究，预期达到以下预期成果：
1.深入理解围栅硅纳米线器件(GAA-MOSFET)的基本结构、特性和性能；
2.深入理解低功耗SRAM的基本理论和关键技术；
3.建立基于GAA-MOSFET的低功耗SRAM的关键性能模型，实现系统化的性能分析和设计优化；
4.获得优化设计的低功耗SRAM样品，并进行实验验证，验证系统性能的有效性，以实现高性能、低功耗、高可靠性的SRAM设计。
四、论文结构和进度安排
本文预期包括六个部分：
第一章：绪论。介绍研究背景、意义、国内外研究现状和研究内容。
第二章：围栅硅纳米线器件(GAA-MOSFET)的基本结构、工作原理和性能分析。
第三章：低功耗SRAM的基本结构、工作原理和性能指标分析。
第四章：基于GAA-MOSFET的低功耗SRAM设计原理、关键技术和方法。
第五章：低功耗SRAM的性能模拟和优化设计。
第六章：总结和展望。总结本文的主要成果和结论，提出下一步研究方向。
预计完成时间表：
第一、二章：2021年10月完成。
第三章：2021年11月完成。
第四章：2021年12月完成。
第五章：2022年1月完成。
第六章：2022年2月完成。
论文答辩：2022年4月。