深亚微米PD SOI CMOS工艺集成与SOI器件特性研究的开题报告.docx

深亚微米PDSOICMOS工艺集成与SOI器件特性研究的开题报告
一、选题背景
PD-SOI（partialdepletionSOI）技术是一种全新的SOI（silicononinsulator）器件加工技术，在PD-SOI技术中，特殊的掺杂工艺和绝缘层变厚技术使得PN结处的细致调控成为可能，这一特性是普通SOI技术所无法比拟的。此外，PD-SOI技术还可以从根本上解决传统CMOS工艺中出现的热点问题，有效提升CMOS器件的性能和可靠性，更有助于实现低功耗及高性能的微电子产品。
二、研究内容
本研究根据PD-SOI技术的特性与应用需求，主要研究内容包括：
1.PD-SOI技术的原理及PD-SOICMOS器件的制备流程研究。
2.基于PD-SOI工艺的CMOS器件特性测试及分析。通过研究PD-SOICMOS器件的静态、动态参数等进行分析，预测器件在高温环境下电性能力和耐压能力。
3.不同工艺参数对PD-SOICMOS器件性能的影响研究。研究不同Si层厚度及掺杂剂掺杂浓度等对器件的影响，并对比普通SOICMOS器件的性能。
三、研究意义
本研究的意义在于：
1、深入探究PD-SOI工艺技术及器件特性，为推广PD-SOI技术提供参考；
2、预测PD-SOICMOS器件的电性能力和耐压能力，为实际应用提供参考；
3、研究不同工艺参数对PD-SOICMOS器件性能的影响，为CMOS技术的发展提供理论依据。
四、研究方法
本研究采用实验分析法与模拟分析法相结合，具体研究方法如下：
1、制备PD-SOICMOS器件；
2、对器件进行静态、动态参数测试，有限元分析器件型号；
3、利用Silvaco等工具对器件进行仿真分析，得出不同工艺参数对器件性能的影响。
五、进度计划
|编号|主要工作|时间|
|---|---|---|
|1|学习了解PD-SOI技术原理|1个月|
|2|选定器件并制备相关测试样品|2个月|
|3|对器件进行性能测试及有限元分析|1个月|
|4|对测试结果进行统计分析|1个月|
|5|进行仿真分析并得出结论|1个月|
|6|论文撰写及审稿|2个月|
六、预期成果
通过本研究，预期得出以下成果：
1、深入探究PD-SOI技术的原理与器件的特性，了解PD-SOI与普通SOI器件的异同；
2、通过实验及有限元分析，得出PD-SOICMOS器件的静态、动态参数及在高温环境下的电性能力和耐压能力等关键参数，为实际应用提供依据；
3、得出不同工艺参数对器件的影响研究结果，并与普通SOI器件进行比对，为CMOS技术的发展提供理论指导。
七、参考文献
1.徐海,陈文斌,陈永康.PD-SOI技术综述[J].电子科技,2016,29(2):91-94.
2.R.Manohar,P.Bharanidharan,T.Ravikumar.AComparativeStudyofDifferentSOIMOSFETswithaNewSOIMOSFET－PD-SOIMOSFET,InternationalJournalofInnovativeResearchinScience,EngineeringandTechnology,Vol.5,Issue2,February2016.
3.李思,刘欣,史伟敏.PD-SOI器件简介及其在CMOS图示上的应用研究[J].微电子学与计算机,2018,35(6):1-4.
4.沈吉民,匡洪勇.高压PD-SOICMOS器件的研究和制备[J].北京科技大学学报,2003,25(5):487-490.