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硅基应变材料及硅基发光器件的制备与性能研究的开题报告
一、选题背景
随着信息技术的快速发展，人们对于传输速度、信息容量等要求也越来越高。其中，光通信以及新型光电器件的需求越来越大，而硅（Si）基技术是当前最热门的研究方向之一。其中，硅基应变材料及硅基发光器件是研究的核心内容之一。
硅基应变材料具有很高的应变致变性，对于微纳电子器件制备等有着重要的应用，同时也广泛应用于光电子领域，如高速光电调制器等。
硅基发光器件有着广泛的应用前景，例如在量子通信领域具有很大的潜力，但是制备难度也相对较大，因此其性能研究和制备技术是当前硅基技术研究的重点之一。
二、选题意义
随着信息技术的发展，传统的电子器件已经无法满足人们对于传输速度和容量的需求，而光电器件则成为了未来的发展趋势。而硅基技术是当前最重要的研究方向之一，因此对于硅基应变材料及硅基发光器件的研究也越来越受人们的关注。
硅基应变材料的制备和性能研究有助于深入了解其物理特性，并能够为其广泛的应用提供技术支持。而硅基发光器件的研究能够开拓新的研究领域，并能够在量子通信、生物医学等领域发挥重要作用。
三、研究内容
1.硅基应变材料的制备
目前，硅基应变材料的制备主要有以下几种方法：长晶法、离子注入法、分子束外延法等。本研究将主要采用离子注入法制备硅基应变材料，并探究其物理特性。
2.硅基应变材料的应变效应研究
利用离子注入法制备的硅基应变材料，我们将研究其应变效应，并比较不同应变强度下的应变效应差异，以探寻其物理特性。
3.硅基发光器件的制备
硅基发光器件主要有以下两种制备方法：一是通过量子点和量子阱等结构，在硅衬底上实现发光；另一种是通过外延方法，在规定的硅层上生长砷化镓发光结构。
本研究将主要采用第一种制备方法，并探究制备方法对器件发光性能的影响，并优化制备方法，以提高硅基发光器件的性能。
4.硅基发光器件的性能研究
通过制备好的硅基发光器件，我们将研究其发光性能和稳定性，并与其他制备方法进行比较，以探究其优劣势。
四、预期成果
通过本研究，预期得到以下成果：
1.成功制备硅基应变材料，并探究其物理特性和应变效应。
2.采用量子点和量子阱等结构，成功制备硅基发光器件，并优化制备方法，以提高发光性能。
3.研究硅基发光器件的发光性能和稳定性，并与其他制备方法进行比较，以探究其优劣势。
五、总结
本研究将采用离子注入法制备硅基应变材料，并采用量子点和量子阱等结构，在硅衬底上实现硅基发光器件。通过研究其物理特性和发光性能，探究硅基应变材料和硅基发光器件的制备方法和性能，为其广泛的应用提供技术支持。