滚花轮和滚花方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107541706A(43)申请公布日2018.01.05(21)申请号201610524306.6(22)申请日2016.06.29(71)申请人宁波江丰电子材料股份有限公司地址315400浙江省宁波市余姚市名邦科技工业园区安山路198号(72)发明人姚力军潘杰相原俊夫王学泽张林桥(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人高静吴敏(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称滚花轮和滚花方法(57)摘要一种滚花轮和滚花方法，包括：体部，所述体部上设有滚花面；位于所述滚花面内的多个凹槽，所述多个凹槽平行设置，所述凹槽包括相对设置的侧壁以及连接相对侧壁的底面。本发明通过在所述体部滚花面内形成多个凹槽，所述凹槽包括相对设置的侧壁以及连接想对侧壁的底面。本发明的滚花轮通过所述凹槽的侧壁以及底面施加压力实现滚花，因此所形成的花纹也是有相对应的三个平面构成。所以所述滚花轮能够有效的减少尖角的形成，有利于降低滚花工艺难度，有利于提高所形成花纹的均匀程度，提高滚花合格率和稳定性。CN107541706ACN107541706A权利要求书1/1页1.一种滚花轮，其特征在于，包括：体部，所述体部上设有滚花面；位于所述滚花面内的多个凹槽，所述多个凹槽平行设置，所述凹槽包括相对设置的侧壁以及连接相对侧壁的底面。2.如权利要求1所述的滚花轮，其特征在于，所述侧壁与所述底面之间的夹角在70°到110°范围内。3.如权利要求1所述的滚花轮，其特征在于，在垂直延伸方向的平面内，所述凹槽的形状为倒梯形。4.如权利要求3所述的滚花轮，其特征在于，在垂直延伸方向的截面内，所述凹槽底面尺寸与所述凹槽开口尺寸的比值在0.2到0.6范围内。5.如权利要求1所述的滚花轮，其特征在于，相邻凹槽的侧壁相连。6.如权利要求1所述的滚花轮，其特征在于，所述体部具有圆柱体结构，所述体部具有贯穿圆柱体底面的通孔，圆柱体的侧面为所述滚花面，所述凹槽沿圆柱体的轴向延伸。7.如权利要求6所述的滚花轮，其特征在于，所述凹槽延伸方向与所述体部侧面的母线斜交。8.如权利要求6所述的滚花轮，其特征在于，所述凹槽延伸方向与所述体部侧面的母线平行。9.如权利要求6所述的滚花轮，其特征在于，所述通孔与所述体部同轴设置。10.如权利要求1所述的滚花轮，其特征在于，所述体部还具有与所述滚花面垂直设置的两个端面，所述两个端面相背设置；以及连接所述端面与所述滚花面的连接面；凹槽还延伸至所述连接面。11.如权利要求10所述的滚花轮，其特征在于，所述连接面与所述端面之间的夹角在93°到100°范围内；所述连接面与所述滚花面之间的夹角在170°到177°范围内。12.一种滚花方法，其特征在于，包括：提供如权利要求1至权利要11任意一项权利要求所述的滚花轮；提供待处理件，所述待处理件具有待处理表面；装配所述滚花轮和所述待处理件，使所述滚花轮体部的滚花面与所述待处理件的待处理表面相接触；使所述滚花面向所述待处理面施加过盈压力，进行滚花。13.如权利要求12所述的滚花方法，其特征在于，进行滚花的步骤包括：向所述滚花轮施加过盈压力的过盈量在20%以内。2CN107541706A说明书1/6页滚花轮和滚花方法技术领域[0001]本发明涉及靶材制造领域，特别涉及一种滚花轮和滚花方法。背景技术[0002]在半导体溅射工艺中，为了提高溅射沉积的均匀性，通常在溅射设备中安置环件结构，以约束溅射粒子的运动轨迹，也就是说，所述环件结构在溅射过程中起到聚焦高能量粒子的作用。[0003]具体的，参考图1，示出了一种溅射设备的结构示意图。[0004]溅射靶材10设置于待沉积表面11的上方，环件结构12设置于溅射靶材10与待沉积表面11之间。高能粒子13轰击溅射靶材10产生的颗粒物部分落在待沉积表面11上，还有部分被吸附在环件结构12的表面。[0005]现有技术在环件结构12的表面设置有凹凸的花纹，提高环件结构12表面的粗糙程度，以增加环件结构12对颗粒物的吸附能力。而环件结构12断口表面的花纹是否标准，对所述环件结构12在溅射过程中能否较好地实现聚焦高能粒子具有很大的影响。现有技术中往往采用滚花工艺在所述环件结构12表面压滚花纹。[0006]但是现有技术中所形成的花纹均匀度较低，所形成的环件结构在使用过程中容易出现尖端放电(Arcing)或剥落(Peeling)的问题。发明内容[0007]本发明解决的问题是提供一种滚花轮和滚花方法，以提高花纹的均匀度。[0008]为解决上述问题，本发明提供一种滚花轮，包括：[0009]体部，所述体部上设有滚花面；位于所述滚花面内的多个凹槽，所述多个凹槽