PLD方法生长ZnOZnMgO量子阱及结构、光学性能研究的中期报告.docx
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PLD方法生长ZnOZnMgO量子阱及结构、光学性能研究的中期报告.docx
PLD方法生长ZnOZnMgO量子阱及结构、光学性能研究的中期报告摘要:本文介绍了PLD方法生长ZnO/ZnMgO量子阱及其结构和光学性能的研究进展。通过优化PLD参数,得到了具有良好结晶性质的ZnO/ZnMgO量子阱结构,其XRD图谱表明其具有典型的Wurtzite结构。研究发现,在ZnO/ZnMgO量子阱中,随着Mg含量的增加,样品的发光强度先增加后减少,最大值出现在Mg含量为25%时,而谱峰红移并变宽。此外,UV-Vis分析结果进一步证实了样品的自由激子吸收和蓝移特性。因此,本研究结果表明,PLD方
PLD方法生长ZnOZnMgO量子阱及结构、光学性能研究的综述报告.docx
PLD方法生长ZnOZnMgO量子阱及结构、光学性能研究的综述报告近年来,基于PLD方法生长ZnO/ZnMgO量子阱(QWs)在光电子学领域引起了广泛关注。在该领域,QWs以其优良的光学性能和管控的电学性能,被广泛应用于设计高性能的高频和光电子器件,例如激光器、LED等。本综述将对PLD方法生长ZnO/ZnMgO量子阱及其结构、光学性能进行综述。首先要介绍的是PLD方法,它是利用高功率激光器对靶材进行瞬间加热,使其表面产生高温等离子体,将其中的原子或分子喷出,沉积于衬底上的一种薄膜制备技术。PLD因其简单
PLD方法生长ZnOZnMgO量子阱及结构、光学性能研究的任务书.docx
PLD方法生长ZnOZnMgO量子阱及结构、光学性能研究的任务书任务书一、研究背景随着发光二极管(LED)和激光器等光电器件的需求日益增加,研究合适的材料以及其量子结构已成为当前研究的热点。氧化锌(ZnO)具有良好的光电性能,被广泛应用于发光器件和太阳能电池等领域。而ZnO量子阱结构能够有效地增强材料的光学性能和电学性能,逐渐成为研究的热点。因此,研究如何生长高质量的ZnO/ZnMgO量子阱结构并对其进行结构、光学性能的研究,对于发展新型光电器件具有重要意义。二、研究内容本次研究将采用金属有机化学气相沉积
MBE生长GaAsAlGaAs量子阱材料结构及其光学性能研究.docx
MBE生长GaAsAlGaAs量子阱材料结构及其光学性能研究摘要本文研究了采用分子束外延(MBE)技术生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及其光学性能。利用光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等手段对样品进行了表面形貌和材料结构分析。利用紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱分析了GaAs/AlGaAs量子阱的光学吸收性能。通过实验和模拟计算,得出了量子阱厚度对其光学性能的影响规律。研究结果表明,MBE技术能够制备高质量的GaAs/AlGaAs量子阱材料,量子阱厚度对其光学性能
ZnOZnMgO多量子阱的制备及表征的开题报告.docx
ZnOZnMgO多量子阱的制备及表征的开题报告本篇开题报告介绍的是关于ZnO/ZnMgO多量子阱的制备及表征的研究。该课题的目的是探究制备高质量的ZnO/ZnMgO多量子阱所需考虑的因素,以及对多量子阱的物理特性进行表征和分析,为实现该材料在电子学和光学应用领域的应用奠定基础。一、研究背景和意义ZnO是一种优良的半导体材料,具有广泛的应用潜力。ZnO/ZnMgO多量子阱则是ZnO材料的一种分层结构,可以通过改变其厚度和组成来调制其相关物理性质,具有广泛的应用前景。例如,该多量子阱被发现在紫外光电子器件、激