ZnO薄膜p型掺杂的研究及ZnO纳米点的可控生长的中期报告.docx

ZnO薄膜p型掺杂的研究及ZnO纳米点的可控生长的中期报告
研究背景：
氧化锌（ZnO）是一种广泛应用的半导体材料，其优异的物理化学性质使其在太阳能电池、光电子器件、传感器等领域有着广泛的应用。然而，ZnO晶体结构中存在大量的空位和氧化物缺陷，导致其在n型半导体方面表现得很好，但在p型半导体方面却受到制约。因此，p型掺杂是ZnO材料应用的瓶颈之一。同时，ZnO纳米点作为一类特殊的半导体材料，也受到了广泛的关注。然而，其可控生长的研究还存在许多问题。
研究内容：
本研究主要围绕ZnO薄膜p型掺杂和ZnO纳米点可控生长进行探究。具体内容如下：
1.利用化学气相沉积法制备ZnO薄膜，并通过掺杂Cu、N等元素来实现p型掺杂。
2.采用光致发光和光致吸收谱等表征手段对掺杂后ZnO薄膜的电学性能进行研究，探究p型掺杂对其光电性能的影响。
3.采用多相催化剂法在氧化锌晶体表面成功生长了ZnO纳米点，并调控其形貌和尺寸分布等参数。
4.利用场发射扫描电镜、透射电子显微镜等手段研究ZnO纳米点的结构和性质，并通过电化学测试探究其在光电子器件和催化反应等领域的应用潜力。
研究意义：
此次研究将有助于深入了解ZnO材料的掺杂机理和物理化学性质，并为其在太阳能电池、光电子器件、传感器等领域的应用提供理论基础和实验基础。同时，通过研究ZnO纳米点的可控生长和性质，也将对其在光电子器件、催化反应等领域的应用具有重要的意义。