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MgB2超导膜的制备及性质研究的中期报告
目前MgB2超导膜的制备一般可以采用化学气相沉积法（CVD法）、磁控溅射法（DC磁控溅射法或RF磁控溅射法）、分子束外延法（MBE法）等多种方法。其中，CVD法是最常用的一种方法，可以制备出质量较好的MgB2薄膜。但是，这一方法对于薄膜的表面处理要求较高，否则会影响膜的结晶性和超导性能。
在MgB2超导膜制备的过程中，不同的制备方法和工艺参数对膜的物理性质和超导性能都有一定的影响。例如CVD法制备的MgB2膜具有较高的超导转变温度（Tc）和较好的超导性能，同时较大的沉积速率也意味着高效率和低成本，但是膜的结晶度和质量较难控制。而磁控溅射法制备的MgB2膜结晶度更高，质量更稳定，但是超导性能和Tc略低。
在MgB2超导膜性质研究方面，超导性能和晶体结构是两个主要的研究方向。对于薄膜的超导性能研究，主要是研究膜的Tc、临界电流密度（Jc）以及磁滞回线等性质。在MgB2超导膜的Tc研究中，不同制备工艺和沉积条件对其Tc值的影响已经被研究得比较清楚。对于MgB2超导膜的Jc研究，则需要考虑膜的厚度、结晶度以及掺杂等因素。此外，MgB2超导膜的磁滞回线以及其它磁场相关的性质也是一个重要的研究方向。
在MgB2超导膜的晶体结构研究中，主要关注的是膜的晶格结构、缺陷和晶粒尺寸等方面。目前的研究发现，MgB2超导膜的晶体结构和晶粒尺寸对其超导性能有很大的影响，因此，通过控制制备工艺，优化膜的晶体结构和晶粒尺寸，可以进一步提高MgB2超导膜的超导性能。
综上所述，MgB2超导膜的制备及性质研究是一个比较热门的领域，相关研究已经有了很多进展。未来的研究可以进一步探究MgB2超导膜的多功能性质，并在实际应用中发挥其优异的性能。