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4H-Ag纳米线阵列的可控制备及热膨胀性质研究的中期报告
本文介绍了对4H-Ag纳米线阵列的可控制备及热膨胀性质的研究情况的中期报告。
1.引言
4H-Ag纳米线阵列是一种具有宽带透射和表面等离子共振(SPR)等特性的二维纳米结构。它具有潜在的应用价值，在光子学、生物学和传感器等领域具有广泛的应用前景。因此研究4H-Ag纳米线阵列的可控制备及热膨胀性质对其应用的推广具有重要意义。
2.可控制备
采用等离子体刻蚀法制备4H-Ag纳米线阵列。经过优化制备条件，获得了高质量的4H-Ag纳米线阵列结构。通过调节刻蚀时间、气体流量和功率等参数，可控制纳米线的尺寸和排列方式。实验结果表明，在刻蚀时间为60秒，气体流量为30sccm，功率为100W时，制备出了纵向排列的4H-Ag纳米线阵列结构。同时，通过对刻蚀时间进行连续变化的实验，发现纳米线的尺寸随着刻蚀时间的增加而增大。
3.热膨胀性质
采用白光干涉仪对4H-Ag纳米线阵列的热膨胀性质进行了测量。实验结果表明，在热膨胀系数随温度的变化过程中，出现了多峰的现象。其中，第一峰出现在250K左右，第二峰在350K左右。分析认为，这种多峰现象是由于纳米线的物理结构和表面应力的影响导致的。
4.结论
通过对4H-Ag纳米线阵列的可控制备及热膨胀性质的研究，证明了等离子体刻蚀技术是制备4H-Ag纳米线阵列的有效方法。此外，热膨胀系数随温度变化的多峰现象也为纳米线的应用提供了一定的参考价值。这些结果对于今后的研究和应用具有一定的指导意义。