B(N)掺杂单壁碳纳米管吸附性能第一性原理研究的中期报告.docx
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B(N)掺杂单壁碳纳米管吸附性能第一性原理研究的中期报告.docx
B(N)掺杂单壁碳纳米管吸附性能第一性原理研究的中期报告本次研究旨在探究B(N)掺杂对单壁碳纳米管吸附性能的影响,采用第一性原理方法进行计算模拟。目前已完成计算模拟的预处理和分析工作,具体进展如下:1.选取合适的单壁碳纳米管模型:在进行计算模拟前,首先选取了适合的单壁碳纳米管模型,并进行了优化处理,得到了稳定的初始结构。其中,选取的单壁碳纳米管为(8,0)型,长约20Å。2.B(N)掺杂处理:在确定好单壁碳纳米管模型后,进行了B(N)掺杂处理,分别掺杂不同的原子数量和浓度。掺杂处理后,对体系进行几何结构优
硼磷掺杂小直径单壁碳纳米管的第一性原理研究.docx
硼磷掺杂小直径单壁碳纳米管的第一性原理研究介绍碳纳米管是一类具有惊人物理和化学特性的新型材料。近年来,人们对其进行了广泛的研究和应用。其中单壁碳纳米管是一种具有特殊电学、光学、热学性质的一维导体。硼和磷是周期表中5B和5A族元素,其掺杂可以引起碳纳米管电学、光学、力学和磁学等方面的性质的改变。因此,硼磷掺杂碳纳米管的研究备受关注。本文将从第一性原理模拟的角度介绍硼磷掺杂小直径单壁碳纳米管的性质及其可能的应用。理论本文采用了第一性原理密度泛函理论,在VASP软件中进行能量、电子结构和磁学计算。在模拟过程中,
掺杂单壁碳纳米管的电子结构及场发射性能研究.docx
掺杂单壁碳纳米管的电子结构及场发射性能研究引言:单壁碳纳米管是一种应用前景广泛的纳米材料,具有很好的机械强度、导电性、热导性等物理特性,因此在电子器件、催化剂、固体润滑等领域得到了广泛的研究和应用。然而,单壁碳纳米管的制备和性质研究仍存在很多问题,其中之一就是如何提高其场发射性能。掺杂是提高碳纳米管电子性质的常用方法之一。以前的研究一般都是通过改变外部电场或掺杂材料来提高碳纳米管的场发射性能,最近的研究表明,掺入其他元素可以改变单壁碳纳米管的电子性质和与金属的相互作用,从而提高其场发射性能。本文将针对掺杂
B(N)掺杂碳纳米管吸附Cu原子的第一性原理研究.docx
B(N)掺杂碳纳米管吸附Cu原子的第一性原理研究随着现代工业化的发展,金属元素化合物污染已成为环境问题中的重要部分。因此,寻找高效、可持续的去污方法变得越来越重要。掺杂碳纳米管吸附重金属污染物已成为研究的焦点之一。本文将探讨掺杂碳纳米管对铜原子的吸附,并利用第一性原理分析其吸附机理。首先,对于掺杂碳纳米管吸附Cu原子的第一性原理研究,我们需要了解一些基本概念。掺杂碳纳米管是指在碳纳米管的内部或外部添加其他元素,如氮、硼、氧等,从而改变其物理和化学性质。掺杂碳纳米管不仅具有纯碳纳米管的特性,如高比表面积和机
单壁碳纳米管生长与刻蚀机理的第一性原理研究的开题报告.docx
单壁碳纳米管生长与刻蚀机理的第一性原理研究的开题报告开题报告:单壁碳纳米管生长与刻蚀机理的第一性原理研究一、选题背景碳纳米管作为一种具有潜在应用前景的纳米材料,其性质和结构已经被广泛研究。其中单壁碳纳米管(Single-walledcarbonnanotubes,SWCNTs)具有良好的导电性、力学性能和热导率等特性,因此在电子器件、材料科学等领域得到了广泛应用。生长与刻蚀机理的研究对于制备高质量的SWCNTs具有重要意义。因此,本文选取单壁碳纳米管生长与刻蚀机理作为研究对象,以期能够深入了解SWCNTs