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MOS器件电离损伤的蒙特卡罗模拟研究的中期报告
本报告是对MOS器件电离损伤的蒙特卡罗模拟研究的中期结果进行总结。
首先，我们通过建立一个基于Geant4的模拟器模拟了MOS器件在放射环境下的电子、质子和重离子的电离损伤效应。结果表明，不同种类的辐射引起的电离损伤不同，质子和重离子对MOS器件的电离损伤更为严重，而且随着能量的升高，电离损伤也会增加。
其次，我们探究了不同工艺参数对MOS器件电离损伤的影响。结果表明，不同的工艺参数会对电离损伤产生不同的影响。例如，氧化厚度会影响电子穿透MOS结构的能力，从而影响电离损伤的程度；掺杂浓度和掺杂分布会直接影响MOS结构的电子和空穴密度，从而影响电离损伤的发生和程度。
最后，我们还分析了不同电离损伤机制对MOS器件的影响。结果表明，在较低的电离能损伤（LET）范围内，空穴捕获是MOS器件固有损伤的主要机制；而在高LET范围内，辐射诱导漏电成为主要机制。
总体而言，本阶段的研究为深入探究MOS器件电离损伤机制提供了重要的实验数据，同时为更好地设计高可靠性的辐射硬化MOS器件提供了有益的参考。