新型MOSFET器件结构设计、建模及特性模拟的任务书.docx
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考虑温度特性的SiCMOSFETPSpice建模研究的任务书任务书:考虑温度特性的SiCMOSFETPSpice建模研究背景与意义:随着电子技术的飞速发展,功率电子技术作为一种重要的技术支撑,在电力控制、工业控制、交通运输、信息通讯等诸多领域中得到了广泛应用。其中,绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)作为两种主