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二维光子晶体的完全禁带及缺陷特性研究的中期报告
该研究致力于探究二维光子晶体的完全禁带及其缺陷特性。在研究初期，我们使用了数值模拟方法对二维正方晶格光子晶体的完全禁带进行了研究，并发现了一些有趣的现象。随后，我们利用实验手段对这些现象进行了验证，并取得了一些重要的结果。
在数值模拟方面，我们首先采用了计算机辅助方法对正方晶格光子晶体的完全禁带进行了研究。我们发现，当晶格常数为光波长的一半时，可获得完全禁带。此外，在一定的光子晶体厚度范围内，完全禁带的带宽随着厚度的增加而增大。我们还对几种不同结构的光子晶体进行了模拟研究，并对比分析了它们的完全禁带特性。
在实验方面，我们使用自组装技术成功制备出了二维正方晶格光子晶体，并利用紫外-可见光漫反射光谱仪进行了表征。实验结果表明，我们所制备的光子晶体具有可见光范围内的完全禁带，且禁带的带宽与其厚度有一定的关系。同时，我们还对光子晶体中的缺陷进行了研究，发现光子晶体中引入缺陷会导致带隙的变窄，从而改变禁带的特性。
总之，我们的研究为二维光子晶体的完全禁带及其缺陷特性提供了重要的理论和实验基础，并且为光子晶体在光学器件中的应用提供了前景。下一步，我们将继续深入探究二维光子晶体的性质，在禁带特性、缺陷特性等方面进行更加深入的研究。