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功率VDMOS器件的低温可靠性研究的中期报告
本中期报告旨在介绍功率VDMOS器件低温可靠性测试的进展，包括测试方法、测试结果和分析。
测试方法：
我们选择在-40℃的低温条件下对功率VDMOS器件进行可靠性测试。测试的样品是多晶硅的P型硅衬底，其上沉积有约1.2μm的硅二极管工艺的氧化硅（SiO2）层。测试装置采用了基于恒电流源的I-V特性测试法。
测试结果：
经过测试，我们观察到了以下现象：
1.在低温下，VDMOS器件的漏电流明显增加，而导通电阻略有微量变化。
2.经过长时间的低温运行，VDMOS器件的漏电流持续增加，并在一定时期内趋于稳定。
3.在较高电压下，VDMOS器件的漏电流增加更为显著，而低电压下的漏电流变化较小。
分析：
我们认为，这些现象是由于低温下VDMOS器件内部的材料特性和结构变化引起的。在低温下，硅衬底和SiO2层的粘附性明显下降，导致电场集中和漏电流的增加。此外，低温下器件晶格结构的变化也可能导致杂质和缺陷的产生，进一步增加器件的漏电流。
结论：
在测试结果的基础上，我们建议进一步研究VDMOS器件低温可靠性的机理，并探索改善其低温性能的方法。这些研究有助于提高功率电子器件在极端环境下的可靠性，保证其在航空、航天等领域的应用。