2T-SRAM设计及其刷新时钟电路的改进的中期报告.docx

2T-SRAM设计及其刷新时钟电路的改进的中期报告
本文介绍了2T-SRAM设计及其刷新时钟电路的改进的中期报告。
首先介绍了2T-SRAM的基本工作原理。2T-SRAM是一种基于MOSFET的SRAM（静态随机存取存储器）结构，由两个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）组成，每个MOSFET一个存储位。2T-SRAM的读取速度快，但需要定期刷新以保持数据稳定。
接着介绍了2T-SRAM的电路设计。2T-SRAM的核心是一个存储电容和两个选通MOSFET。两个选通MOSFET分别用于读取和写入操作。同时还需要一个刷新控制电路，定期刷新存储电容。
针对2T-SRAM的刷新控制电路，本文提出了一种改进的方案。传统的刷新控制电路采用周期性的刷新方式，但这种方式存在刷新时间不稳定、刷新周期长等问题。本文提出了一种可编程的刷新控制电路，通过对刷新时钟的控制可以灵活调整刷新时间和刷新周期，从而提高2T-SRAM的性能和稳定性。
最后，本文介绍了目前的工作进展和未来计划。目前已经完成了2T-SRAM的电路设计和仿真，同时对刷新控制电路的改进方案进行了初步实现。未来计划是进一步优化电路设计和刷新控制方案，完成2T-SRAM的布局和物理设计，最终实现一款性能稳定、可靠性高的2T-SRAM芯片。